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1. (WO2006093261) タンタル窒化物膜の形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/093261    国際出願番号:    PCT/JP2006/304071
国際公開日: 08.09.2006 国際出願日: 03.03.2006
IPC:
C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
GONOHE, Narishi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOYODA, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USHIKAWA, Harunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KONDO, Tomoyasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Kyuzo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: GONOHE, Narishi; (JP).
TOYODA, Satoru; (JP).
USHIKAWA, Harunori; (JP).
KONDO, Tomoyasu; (JP).
NAKAMURA, Kyuzo; (JP)
代理人: Exeo Patent & Trademark Company; 6th Fl., Daishin Bldg., 2-6-2 Ebisunishi Shibuya-ku, Tokyo 1500021 (JP)
優先権情報:
2005-059084 03.03.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING TANTALUM NITRIDE FILM
(FR) PROCEDE POUR FORMER UN FILM DE NITRURE DE TANTALE
(JA) タンタル窒化物膜の形成方法
要約: front page image
(EN)According to a CVD method, a raw material gas composed of a coordinate compound in which an N=(R,R') group (wherein R and R' may be the same as or different from each other and respectively represent an alkyl group having 1-6 carbon atoms) is coordinated to a Ta element and an oxygen atom-containing gas are introduced into a film formation chamber and reacted with each other on a substrate for forming a TaOxNy(R,R')z, and then an H atom-containing gas is introduced therein for forming a tantalum-rich tantalum nitride film. By this method, a low-resistance tantalum nitride film having low C and N contents, high Ta/N ratio and secure adhesion to a Cu film can be obtained, and this tantalum nitride film is useful as a barrier film. By implanting tantalum particles into the thus-obtained film by sputtering, there can be obtained a still tantalum-richer film.
(FR)Selon un procédé de déposition par réaction chimique en phase vapeur, un gaz de départ composé d’un composé de coordination où un groupe N=(R,R’) (où R et R’ peuvent être identiques ou différents l'un de l'autre et représenter respectivement un groupe alkyle ayant de 1 à 6 atomes de carbone) est coordiné à un élément tantale et un gaz contenant un atome d’oxygène sont introduits dans une chambre de formation de film et sont mis à réagir l’un avec l’autre sur un substrat pour former un composé TaOxNy(R,R’)z ; et puis un gaz contenant un atome d’hydrogène est introduit dans celle-ci pour former un film de nitrure de tantale enrichi en tantale. Par ce procédé, un film de nitrure de tantale de faible résistance ayant de faibles teneurs en carbone et en azote, un rapport Ta/N élevé et une bonne adhérence sur un film de cuivre peut être obtenu, et ce film de nitrure de tantale est utile en tant que film formant une barrière. En implantant des particules de tantale dans le film ainsi obtenu par pulvérisation, on peut obtenir un film toujours enrichi en tantale.
(JA)CVD法に従って、成膜室内にTa元素の周りにN=(R,R')(R及びR'は、炭素原子数1~6個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及び酸素原子含有ガスを導入して基板上で反応させて、TaO(R,R')を生成し、次いでH原子含有ガスを導入してタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。これにより、C、N含有量が低く、Ta/N組成比が高く、Cu膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を提供できる。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)