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1. (WO2006093260) タンタル窒化物膜の形成方法
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国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:
WO/2006/093260
国際出願番号:
PCT/JP2006/304070
国際公開日:
08.09.2006
国際出願日:
03.03.2006
IPC:
C23C 16/34
(2006.01),
H01L 21/285
(2006.01),
H01L 21/3205
(2006.01),
H01L 23/52
(2006.01)
C
化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H
電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
出願人:
ULVAC, INC.
[JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP)
(米国を除く全ての指定国)
.
GONOHE, Narishi
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
.
TOYODA, Satoru
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
.
USHIKAWA, Harunori
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
.
KONDO, Tomoyasu
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
.
NAKAMURA, Kyuzo
[JP/JP]; (JP)
(米国のみ)
発明者:
GONOHE, Narishi
; (JP).
TOYODA, Satoru
; (JP).
USHIKAWA, Harunori
; (JP).
KONDO, Tomoyasu
; (JP).
NAKAMURA, Kyuzo
; (JP)
代理人:
Exeo Patent & Trademark Company
; 6th Fl., Daishin Bldg., 2-6-2 Ebisunishi Shibuya-ku, Tokyo 1500021 (JP)
優先権情報:
2005-059083
03.03.2005
JP
発明の名称:
(EN)
METHOD FOR FORMING TANTALUM NITRIDE FILM
(FR)
PROCEDE POUR FORMER UN FILM DE NITRURE DE TANTALE
(JA)
タンタル窒化物膜の形成方法
要約:
(EN)
A Ta-rich tantalum nitride film is formed as follows: a raw material gas composed of a coordinate compound in which an N=(R,R') group (wherein R and R' may be the same as or different from each other and respectively represent an alkyl group having 1-6 carbon atoms) is coordinated to a Ta element is introduced into a vacuum chamber and adsorbed on a substrate; next a halogen gas is introduced therein for forming a TaN
x
(Hal)
y
(R,R')
z
compound (wherein Hal represents a halogen atom); and then an activated reaction gas is introduced therein for cutting and removing N bonded to Ta, the Hal bonded to N, and the R(R') group bonded to N. Consequently, a low-resistance tantalum nitride film having low C and N contents, high Ta/N ratio and secure adhesion to a Cu film can be obtained, and this tantalum nitride film is useful as a barrier film. By implanting tantalum particles into the thus-obtained film by sputtering, there can be obtained a still tantalum-richer film.
(FR)
Le film de nitrure de tantale enrichi en tantale selon la présente invention est formé de la manière suivante : un gaz de départ composé d’un composé de coordination où un groupe N=(R,R’) (où R et R’ peuvent être identiques ou différents l'un de l'autre et représenter respectivement un groupe alkyle ayant de 1 à 6 atomes de carbone) est coordiné à un élément tantale, est introduit dans une chambre à vide et adsorbé sur un substrat ; ensuite un gaz d’halogène est introduit dans celle-ci pour former un composé TaN
X
(Hal)
y
(R,R’)
z
(où Hal représente un atome d'halogène) ; et puis un gaz de réaction est introduit dans celle-ci de façon à cliver et à éliminer N lié à Ta, Hal lié à Ta, le groupe R(R’) lié à N. Par conséquent, un film de nitrure de tantale de faible résistance ayant de faibles teneurs en carbone et en azote, un rapport Ta/N élevé et une bonne adhérence sur un film de cuivre peut être obtenu, et ce film de nitrure de tantale est utile en tant que film formant une barrière. En implantant des particules de tantale dans le film ainsi obtenu par pulvérisation, on peut obtenir un film toujours enrichi en tantale.
(JA)
真空チャンバ内に、Ta元素の周りにN=(R,R')(R及びR'は、炭素原子数1~6個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガスを導入して基板上に吸着させた後に、ハロゲンガスを導入してTaN
x
(Hal)
y
(R,R')
z
化合物(Halは、ハロゲン原子を表す)を生成し、次いで活性化した反応ガスを導入してTaに結合したN、Nに結合したHal、Nに結合したR(R')基を切断除去し、Taリッチのタンタル窒化物膜を形成する。これにより、C、N含有量が低く、Ta/N組成比が高く、Cu膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を提供できる。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。
指定国:
AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語:
Japanese (
JA
)
国際出願言語:
Japanese (
JA
)