JP2006304070 タンタル窒化物膜の形成方法

1. (WO2006093260) タンタル窒化物膜の形成方法

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国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号:		WO/2006/093260		国際出願番号:		PCT/JP2006/304070
国際公開日:		08.09.2006		国際出願日:		03.03.2006

IPC:

C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)

出願人:

ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
GONOHE, Narishi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOYODA, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USHIKAWA, Harunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KONDO, Tomoyasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Kyuzo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)

発明者:

GONOHE, Narishi; (JP).
TOYODA, Satoru; (JP).
USHIKAWA, Harunori; (JP).
KONDO, Tomoyasu; (JP).
NAKAMURA, Kyuzo; (JP)

代理人:

Exeo Patent & Trademark Company; 6th Fl., Daishin Bldg., 2-6-2 Ebisunishi Shibuya-ku, Tokyo 1500021 (JP)

優先権情報:

2005-059083

03.03.2005

発明の名称:

(EN) METHOD FOR FORMING TANTALUM NITRIDE FILM
(FR) PROCEDE POUR FORMER UN FILM DE NITRURE DE TANTALE
(JA) タンタル窒化物膜の形成方法

要約:

(EN)A Ta-rich tantalum nitride film is formed as follows: a raw material gas composed of a coordinate compound in which an N=(R,R') group (wherein R and R' may be the same as or different from each other and respectively represent an alkyl group having 1-6 carbon atoms) is coordinated to a Ta element is introduced into a vacuum chamber and adsorbed on a substrate; next a halogen gas is introduced therein for forming a TaN_x(Hal)_y(R,R')_z compound (wherein Hal represents a halogen atom); and then an activated reaction gas is introduced therein for cutting and removing N bonded to Ta, the Hal bonded to N, and the R(R') group bonded to N. Consequently, a low-resistance tantalum nitride film having low C and N contents, high Ta/N ratio and secure adhesion to a Cu film can be obtained, and this tantalum nitride film is useful as a barrier film. By implanting tantalum particles into the thus-obtained film by sputtering, there can be obtained a still tantalum-richer film.
(FR)Le film de nitrure de tantale enrichi en tantale selon la présente invention est formé de la manière suivante : un gaz de départ composé d’un composé de coordination où un groupe N=(R,R’) (où R et R’ peuvent être identiques ou différents l'un de l'autre et représenter respectivement un groupe alkyle ayant de 1 à 6 atomes de carbone) est coordiné à un élément tantale, est introduit dans une chambre à vide et adsorbé sur un substrat ; ensuite un gaz d’halogène est introduit dans celle-ci pour former un composé TaN_X(Hal)_y(R,R’)_z(où Hal représente un atome d'halogène) ; et puis un gaz de réaction est introduit dans celle-ci de façon à cliver et à éliminer N lié à Ta, Hal lié à Ta, le groupe R(R’) lié à N. Par conséquent, un film de nitrure de tantale de faible résistance ayant de faibles teneurs en carbone et en azote, un rapport Ta/N élevé et une bonne adhérence sur un film de cuivre peut être obtenu, et ce film de nitrure de tantale est utile en tant que film formant une barrière. En implantant des particules de tantale dans le film ainsi obtenu par pulvérisation, on peut obtenir un film toujours enrichi en tantale.
(JA)真空チャンバ内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１～６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガスを導入して基板上に吸着させた後に、ハロゲンガスを導入してＴａＮ_ｘ(Ｈａｌ)_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚ化合物(Ｈａｌは、ハロゲン原子を表す)を生成し、次いで活性化した反応ガスを導入してＴａに結合したＮ、Ｎに結合したＨａｌ、Ｎに結合したＲ(Ｒ')基を切断除去し、Ｔａリッチのタンタル窒化物膜を形成する。これにより、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を提供できる。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。

指定国:

AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

国際公開言語:	Japanese (JA)
国際出願言語:	Japanese (JA)

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