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1. (WO2006093260) タンタル窒化物膜の形成方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/093260    国際出願番号:    PCT/JP2006/304070
国際公開日: 08.09.2006 国際出願日: 03.03.2006
C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
GONOHE, Narishi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOYODA, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USHIKAWA, Harunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KONDO, Tomoyasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Kyuzo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: GONOHE, Narishi; (JP).
TOYODA, Satoru; (JP).
USHIKAWA, Harunori; (JP).
KONDO, Tomoyasu; (JP).
代理人: Exeo Patent & Trademark Company; 6th Fl., Daishin Bldg., 2-6-2 Ebisunishi Shibuya-ku, Tokyo 1500021 (JP)
2005-059083 03.03.2005 JP
(JA) タンタル窒化物膜の形成方法
要約: front page image
(EN)A Ta-rich tantalum nitride film is formed as follows: a raw material gas composed of a coordinate compound in which an N=(R,R') group (wherein R and R' may be the same as or different from each other and respectively represent an alkyl group having 1-6 carbon atoms) is coordinated to a Ta element is introduced into a vacuum chamber and adsorbed on a substrate; next a halogen gas is introduced therein for forming a TaNx(Hal)y(R,R')z compound (wherein Hal represents a halogen atom); and then an activated reaction gas is introduced therein for cutting and removing N bonded to Ta, the Hal bonded to N, and the R(R') group bonded to N. Consequently, a low-resistance tantalum nitride film having low C and N contents, high Ta/N ratio and secure adhesion to a Cu film can be obtained, and this tantalum nitride film is useful as a barrier film. By implanting tantalum particles into the thus-obtained film by sputtering, there can be obtained a still tantalum-richer film.
(FR)Le film de nitrure de tantale enrichi en tantale selon la présente invention est formé de la manière suivante : un gaz de départ composé d’un composé de coordination où un groupe N=(R,R’) (où R et R’ peuvent être identiques ou différents l'un de l'autre et représenter respectivement un groupe alkyle ayant de 1 à 6 atomes de carbone) est coordiné à un élément tantale, est introduit dans une chambre à vide et adsorbé sur un substrat ; ensuite un gaz d’halogène est introduit dans celle-ci pour former un composé TaNX(Hal)y(R,R’)z (où Hal représente un atome d'halogène) ; et puis un gaz de réaction est introduit dans celle-ci de façon à cliver et à éliminer N lié à Ta, Hal lié à Ta, le groupe R(R’) lié à N. Par conséquent, un film de nitrure de tantale de faible résistance ayant de faibles teneurs en carbone et en azote, un rapport Ta/N élevé et une bonne adhérence sur un film de cuivre peut être obtenu, et ce film de nitrure de tantale est utile en tant que film formant une barrière. En implantant des particules de tantale dans le film ainsi obtenu par pulvérisation, on peut obtenir un film toujours enrichi en tantale.
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)