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1. (WO2006093037) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/093037    国際出願番号:    PCT/JP2006/303381
国際公開日: 08.09.2006 国際出願日: 24.02.2006
H01L 21/31 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-20, Higashi-Nakano 3-chome Nakano-ku Tokyo 1648511 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANIYAMA, Tomoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKASHIMA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHNO, Mikio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANIYAMA, Tomoshi; (JP).
TAKASHIMA, Yoshikazu; (JP).
OHNO, Mikio; (JP)
代理人: YUI, Tohru; 21 TOWA Bldg. 3F 4-6-1, Iidabashi Chiyoda-ku, Tokyo 1020072 (JP)
2005-057980 02.03.2005 JP
(JA) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor production system in which local deposition of components in the gas which has been used for processing a substrate is suppressed by eliminating stagnation of the gas in an exhaust trap. The semiconductor production system comprises a substrate processing chamber (tubular space (250)), a pipe (232) for supplying a substrate processing gas to the substrate processing chamber, a first exhaust pipe (upstream-side exhaust pipe (231a)) for discharging the gas which has been used for processing the substrate from the substrate processing chamber, an exhaust trap (49) for removing components contained in the used gas introduced through the first exhaust pipe, and a second exhaust pipe (downstream-side exhaust pipe (231b)) for discharging the used gas from which the components are removed from the exhaust trap (49). The exhaust trap (49) is provided with a cooled baffle (59) generally perpendicular to the direction in which the gas is introduced into the exhaust trap (49) and having a recess surface (59a) on the gas inlet (55a) side of the exhaust trap (49).
(FR)La présente invention décrit un système de production de semi-conducteurs dans lequel la disposition locale des composantes dans le gaz qui a été utilisé pour traiter un substrat est supprimée en éliminant la stagnation du gaz dans un séparateur d'échappement. Le système de production de semi-conducteurs comprend une chambre de traitement de substrat [espace tubulaire (250)], un tuyau (232) destiné à fournir le gaz de traitement du substrat à la chambre de traitement du substrat, une première conduite d'échappement (conduite d'échappement en amont (231a)) pour décharger le gaz qui a été utilisé pour le traitement du substrat à partir de la chambre de traitement du substrat, un séparateur d'échappement (49) pour retirer les composantes contenus dans le gaz usagé introduit par la première conduite d'échappement, ainsi qu'une seconde conduite d'échappement (conduite d'échappement en aval (231b)) pour décharger le gaz usagé à partir duquel les composantes sont retirés du séparateur d'échappement (49). Le séparateur d'échappement (49) est muni d'une chicane refroidie (59) généralement perpendiculaire à la direction dans laquelle le gaz est introduit dans le séparateur d'échappement (49) et disposant d'une surface encastrée (59a) sur l'entrée de gaz (55a) du séparateur d'échappement (49).
(JA) 排気トラップ内での基板処理済みガスのよどみをなくし基板処理済みガス中の成分の局部的な析出を抑制する。  基板処理室(筒状空間250)と、前記基板処理室に基板処理ガスを供給するガス供給管232と、前記基板処理室から基板処理済みガスを排出する第1の排気管(上流側排気管231a)と、前記第1の排気管から導入される基板処理済みガスに含まれる成分を除去する排気トラップ49と、前記排気トラップ49から基板処理済みガス中の成分を除去したガスを排気する第2の排気管(下流側排気管231b)とを備え、前記排気トラップ49には、排気トラップ49へのガス導入方向と略垂直であり、排気トラップ49のガス導入口55a側に凹面59aを有する、冷却された邪魔板59を設ける。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)