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1. (WO2006092997) プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/092997    国際出願番号:    PCT/JP2006/303152
国際公開日: 08.09.2006 国際出願日: 22.02.2006
IPC:
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUDA, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MATSUDA, Ryuichi; (JP).
INOUE, Masahiko; (JP)
代理人: MITSUISHI, Toshiro; Mitsuishi Law and Patent Office 9-15, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
優先権情報:
2005-053180 28.02.2005 JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PAR PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)When a size of a substrate (1) is instructed, a map, which shows a range where uniform sputter etching can be performed based on a relationship between a diameter size (Dp) of a high density plasma region and a height (H) between a center of the high density plasma region and a lower section in a plasma diffusion region, is read. Based on an inner pressure and a frequency of an electromagnetic wave from an antenna (116), a height (Hp) between the center of the high density plasma region and an internal upper plane of a vacuum chamber (111) and the value (Dp) are obtained. Based on the inner pressure and a self-bias potential of the substrate (1), a height (Hs) between a lower section in the plasma diffusion region and an upper plane of a supporting table (113) are obtained, and based on the values of (Dp), (Hp) and (Hs), the value (H) showing the range where the uniform sputter etching can be performed is obtained from the map, and a lifting apparatus (121) is controlled so as to be at the value (H).
(FR)Selon l’invention, une carte est lue lorsque la taille d’un substrat (1) est donnée, laquelle carte indique une plage sur laquelle il est possible d’effectuer une gravure ionique, à partir d’une relation entre une dimension diamétrale (Dp) d’une région de plasma à densité élevée et une hauteur (H) entre le centre de la région de plasma à densité élevée et une partie inférieure dans une région de diffusion du plasma. En se basant sur une pression intérieure et une fréquence d’onde électromagnétique provenant d’une antenne (116), une hauteur (Hp) entre le centre de la région de plasma de densité élevée et un plan interne supérieur d’une chambre à vide (111) et la valeur (Dp) sont obtenues. En se basant sur la pression intérieure et un potentiel de biais du substrat (1) même, une hauteur (Hs) entre une section inférieure dans la région de diffusion du plasma et un plan supérieur d’une table support (113) est obtenue. Les valeurs de (Dp), (Hp) et (Hs) permettent d'obtenir à partir de la carte la valeur (H), qui indique la plage dans laquelle une gravure ionique uniforme peut être réalisée ; on commande un dispositif élévateur (121) de façon à le maintenir à la valeur (H).
(JA) 基板1のサイズを指示されると、高密度プラズマ領域の径サイズDpと、高密度プラズマ領域の中心とプラズマ拡散領域の下部との間の高さHとの関係に基づく均一スパッタエッチング可能範囲のマップを読み出し、内圧及びアンテナ116からの電磁波の周波数に基づいて、高密度プラズマ領域の中心と真空チャンバ111の内部上面との間の高さHp及び前記Dpの値を求め、内圧及び基板1の自己バイアス電位の大きさに基づいて、プラズマ拡散領域の下部と支持台113の上面との間の高さHsを求め、上記Dp,上記Hp,上記Hsの値に基づいて、前記マップから均一スパッタエッチング可能範囲となる前記Hの値を求めたら、上記Hの値となるように昇降装置121を制御する。                                                                                 
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)