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1. (WO2006092936) 半導体薄膜または半導体ウエハの電磁誘導加熱法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/092936    国際出願番号:    PCT/JP2006/302068
国際公開日: 08.09.2006 国際出願日: 07.02.2006
予備審査請求日:    29.09.2006    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
出願人: INTELLECTUAL PROPERTY BANK CORP. [JP/JP]; Shuwa Toranomon #2 bldg. 5F, 1-21-19, Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IWAMATSU, Seiichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MURAKAMI, Yukihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IWAMATSU, Seiichi; (JP).
MURAKAMI, Yukihiro; (JP)
代理人: ITO, Mitsuru; 6th floor, Yotsuya Chuou Building 2-17, Yotsuya 3-chome Shinjyuku, Tokyo 1600004 (JP)
共通の
代表者:
INTELLECTUAL PROPERTY BANK CORP.; Shuwa Toranomon #2 Bldg. 5F 1-21-19, Toranomon Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
優先権情報:
2005-055635 01.03.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR THIN FILM OR ELECTROMAGNETIC INDUCTION HEATING METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE DE CHAUFFAGE PAR INDUCTION ELECTROMAGNETIQUE D'UN FILM MINCE A SEMI-CONDUCTEURS POUR UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体薄膜または半導体ウエハの電磁誘導加熱法
要約: front page image
(EN)If a laser beam is used when an amorphous semiconductor thin film deposited on a glass substrate is crystallized, such problems arise that a grain boundary is rendered giant and charge conduction characteristics between giant grain boundaries deteriorate. A method of indirectly heating a semiconductor wafer placed on a support table by resistance heating, infrared heating using lamp heating or a high-frequency induction coil requires a large power consumption. The step of directly heating and crystallizing a semiconductor thin film that is produced by depositing the semiconductor thin film on an insulation substrate and exists on the substrate by electromagnetic induction heating is used during the crystallization, whereby the size of the grain boundary of the crystallized semiconductor thin film is prevented from growing giant and power consumption is reduced. A semiconductor wafer placed on a support table is directly heated by an electromagnetic induction heating method to reduce power consumption.
(FR)Selon le procédé de la présente invention, lorsqu'un faisceau laser est utilisé au moment où un film mince à semi-conducteurs amorphe déposé sur un substrat de verre est cristallisé, il arrive qu'une limite de grain devienne géante et que les caractéristiques de conduction de charge intergranulaire géantes se détériore. Un procédé de chauffage indirect d'une tranche à semi-conducteurs placée sur une plaquette par chauffage par résistance, le chauffage par infrarouge utilisant un chauffage par lampe ou une bobine d'induction haute fréquence, exige une grande consommation électrique. L'étape de chauffage direct et de cristallisation d'un film à semi-conducteurs qui est produite en déposant le film mince à semi-conducteurs qui existe sur le substrat par chauffage par induction électromagnétique sert pendant la cristallisation. Selon le procédé de l'invention l'on empêche la taille de la limite du film mince à semi-conducteurs cristallisé de devenir géante et permet de réduire la consommation électrique. Une tranche à semi-conducteurs placée sur une plaquette est directement chauffée par un procédé de chauffage par induction électromagnétique afin de réduire la consommation électrique.
(JA)ガラス基板上に堆積した非晶質半導体薄膜を結晶化する際に、レーザー光線を用いると、結晶粒界が巨大化する問題があり、当該巨大結晶粒界間における電荷伝導特性が劣化すると云う問題があった。また、支持台に積載した半導体ウエハを抵抗加熱やランプ加熱による赤外線加熱や高周波誘導コイルで間接的に加熱する方法では、電力消費が多いという問題があった。 そこで半導体薄膜を絶縁基板上に堆積して製造した当該絶縁基板上に存在する当該半導体薄膜を電磁誘導加熱法により直接加熱して結晶化する工程を経る事により、当該結晶化した半導体薄膜の結晶粒界の大きさが巨大化することを防止すると共に消費電力の低減を図る。また、支持台上に積載された半導体ウエハを電磁誘導加熱法により直接加熱して消費電力の低減を図る。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)