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1. (WO2006092886) 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/092886    国際出願番号:    PCT/JP2005/020202
国際公開日: 08.09.2006 国際出願日: 02.11.2005
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
TAKEI, Tokio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIZAWA, Sigeyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAZAKI, Susumu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOKOKAWA, Isao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOTO, Nobuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKEI, Tokio; (JP).
YOSHIZAWA, Sigeyuki; (JP).
MIYAZAKI, Susumu; (JP).
YOKOKAWA, Isao; (JP).
NOTO, Nobuhiko; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 1110041 (JP)
優先権情報:
2005-054718 28.02.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING BONDED WAFER AND BONDED WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GALETTE COLLÉE ET GALETTE COLLÉE
(JA) 貼り合わせウエーハの製造方法及び貼り合わせウエーハ
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a bonded wafer which comprises a step for etching an oxide film in a terrace portion of the edge of a bonded wafer which is formed by bonding at least a base wafer and a bond wafer. This method for manufacturing a bonded wafer is characterized in that etching of the oxide film in the terrace portion is performed by spin etching while holding and rotating the bonded wafer. By this method, the oxide film formed in the terrace portion of the base wafer can be efficiently etched without etching the oxide film on the backside of the base wafer.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication de galette collée comprenant une phase de gravure d’un film d’oxyde dans une portion de palier du bord d’une galette collée que l’on obtient en liant au moins une galette de base et une galette de liaison. Ce procédé de fabrication d’une galette collée est caractérisé en ce que la gravure du film d’oxyde dans la portion de palier est réalisée par gravure centrifuge tout en maintenant et en faisant tourner la galette collée. Ce procédé permet de graver de manière efficace le film d’oxyde dans la portion de palier de la galette de base sans graver le film d’oxyde au dos de la galette de base.
(JA) 本発明は、少なくともベースウエーハとボンドウエーハとを貼り合わせて作製した、貼り合わせウエーハの外周部のテラス部の酸化膜をエッチングする工程を有する貼り合わせウエーハを製造する方法であって、前記テラス部の酸化膜のエッチングは、前記貼り合わせウエーハを保持して回転させながら、スピンエッチングにより行うことを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法である。これにより、ベースウエーハ裏面の酸化膜をエッチングすることなく、ベースウエーハのテラス部に形成された酸化膜を効率的にエッチングする貼り合わせウエーハの製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)