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1. (WO2006092846) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/092846    国際出願番号:    PCT/JP2005/003382
国際公開日: 08.09.2006 国際出願日: 01.03.2005
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588 (JP) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
KIKUCHI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIKUCHI, Hideaki; (JP).
NAGAI, Kouichi; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A ferroelectric capacitor having a ferroelectric film (10a) is formed on an upper part of a semiconductor substrate, then, wiring (17) is formed to be directly connected to electrodes (9a, 11a) of the ferroelectric capacitor. Then, a silicon oxide film (18) for covering the wiring (17) is formed. As the silicon oxide film (18), a film, which causes damage of a same or less degree to the ferroelectric capacitor while the silicon oxide film is being formed and that can be more easily processed compared with the aluminum oxide film, is formed.
(FR)L'invention concerne un condensateur ferroélectrique comportant un film ferroélectrique (10a) qui est formé sur une partie supérieure d'un substrat semiconducteur puis, un câblage (17) est formé pour être relié directement aux électrodes (9a, 11a) du condensateur ferroélectrique. Ensuite est formé un film d'oxyde de silicium (18) destiné à couvrir le câblage (17). Tout comme le film d'oxyde de silicium (18), est formé un film qui provoque des dommages de même degré ou inférieur au condensateur ferroélectrique alors que le film d'oxyde de silicium est formé et qui peut être traité plus facilement par comparaison au film d'oxyde d'aluminium.
(JA) 半導体基板の上方に強誘電体膜(10a)を備えた強誘電体キャパシタを形成した後、強誘電体キャパシタの電極(9a、11a)に直接接続される配線(17)を形成する。そして、配線(17)を覆うシリコン酸化膜(18)を形成する。但し、シリコン酸化膜(18)として、その成膜時に強誘電体キャパシタに及ぶ損傷の程度が酸化アルミニウム膜のそれ以下であり、且つその加工しやすさが酸化アルミニウム膜のそれよりも高い膜を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)