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1. WO2006090618 - 圧電素子の製造方法

公開番号 WO/2006/090618
公開日 31.08.2006
国際出願番号 PCT/JP2006/302619
国際出願日 15.02.2006
IPC
H01L 41/09 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08圧電または電歪素子
09電気的入力および機械的出力をもつもの
B41J 2/14 2006.1
B処理操作;運輸
41印刷;線画機;タイプライター;スタンプ
Jタイプライタ;選択的プリンティング機構,すなわち版以外の手段でプリンティングする機構;誤植の修正
2設計されるプリンティングまたはマーキング方法に特徴があるタイプライタまたは選択的プリンティング機構
005液体または粒子を選択的にプリンティング材料に接触させることに特徴があるもの
01インクジェット
135ノズル
14その構造
B41J 2/16 2006.1
B処理操作;運輸
41印刷;線画機;タイプライター;スタンプ
Jタイプライタ;選択的プリンティング機構,すなわち版以外の手段でプリンティングする機構;誤植の修正
2設計されるプリンティングまたはマーキング方法に特徴があるタイプライタまたは選択的プリンティング機構
005液体または粒子を選択的にプリンティング材料に接触させることに特徴があるもの
01インクジェット
135ノズル
16ノズルの製造
H01L 41/18 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16材料の選択
18圧電または電歪素子用
H01L 41/187 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16材料の選択
18圧電または電歪素子用
187セラミック組成物
H01L 41/22 2013.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
H01L 41/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
04of piezo-electric or electrostrictive devices
H01L 41/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08Piezo-electric or electrostrictive devices
H01L 41/257
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
253Treating devices or parts thereof to modify a piezo-electric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
257by polarising
H01L 41/332
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
22Processes or apparatus specially adapted for the assembly, manufacture or treatment of piezo-electric or electrostrictive devices or of parts thereof
33Shaping or machining of piezo-electric or electrostrictive bodies
332by etching, e.g. lithography
Y10T 29/42
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
29Metal working
42Piezoelectric device making
Y10T 29/49401
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
29Metal working
49Method of mechanical manufacture
49401Fluid pattern dispersing device making, e.g., ink jet
出願人
  • 松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 中村 友騎 NAKAMURA, Yuki (UsOnly)
  • 村嶋 祐二 MURASHIMA, Yuji (UsOnly)
  • 安見 正博 YASUMI, Masahiro (UsOnly)
  • 小牧 一樹 KOMAKI, Kazuki (UsOnly)
発明者
  • 中村 友騎 NAKAMURA, Yuki
  • 村嶋 祐二 MURASHIMA, Yuji
  • 安見 正博 YASUMI, Masahiro
  • 小牧 一樹 KOMAKI, Kazuki
代理人
  • 岩橋 文雄 IWAHASHI, Fumio
優先権情報
2005-04674923.02.2005JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROCESS FOR FABRICATING PIEZOELECTRIC ELEMENT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT PIEZOELECTRIQUE
(JA) 圧電素子の製造方法
要約
(EN) A method for fabricating a piezoelectric element capable of ensuring high piezoelectric characteristics by preventing generation of unnecessary electric field in a piezoelectric thin film layer during the fabrication process. The method for fabricating a piezoelectric element comprises a first step for depositing a lower electrode layer, a piezoelectric thin film layer and an upper electrode layer sequentially on a substrate, a second step for performing etching including dry etching, a third step for performing polarization by applying a voltage between the lower electrode layer and the upper electrode layer, and a fourth step for segmenting into individual piezoelectric elements wherein the lower electrode layer and the upper electrode layer are held in short circuit state at least when dry etching is performed.
(FR) L'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un élément piézoélectrique capable d'assurer des caractéristiques piézoélectriques élevées en évitant la génération d'un champ électrique inutile dans une couche de film mince piézoélectrique durant la fabrication. Le procédé de fabrication d'un élément piézoélectrique comprend une première étape de dépôt séquentiel sur un substrat d'une couche d'électrode inférieure, d'une couche de film mince piézoélectrique et d'une couche d'électrode supérieure, une deuxième étape de gravure, la gravure incluant une gravure sèche, une troisième étape de polarisation par l'application d'une tension entre la couche d'électrode inférieure et la couche d'électrode supérieure et une quatrième étape de segmentation en éléments piézoélectriques individuels, la couche électrode inférieure et la couche électrode supérieure étant mises en court-circuit au moins pendant la réalisation de la gravure sèche.
(JA)  製造工程の途中における圧電薄膜層への不要な電界の発生を防止することにより高い圧電特性を確保することができる圧電素子の製造方法が開示されていて、この圧電素子の製造方法は、基板の上に下部電極層、圧電薄膜層および上部電極層を順次積層する第1の工程と、エッチングにドライエッチングを含んでエッチング処理する第2の工程と、下部電極層と上部電極層との間に電圧を印加して分極処理する第3の工程と、それぞれの圧電素子に個片化処理する第4の工程と、を含む圧電素子の製造方法であって、少なくともドライエッチングを行うときに下部電極層と上部電極層とを短絡保持する。
関連特許文献
EP6713760出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
DE1120060001914出願が移行したが国内段階でまだ公開されていないか、WIPO にデータを提供していない国への移行が通知されたか、あるいは出願の形式に問題があり、またはその他の理由で利用可能な状態でないため、PATENTSCOPE で表示できません。
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