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1. (WO2006077684) シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/077684    国際出願番号:    PCT/JP2005/019585
国際公開日: 27.07.2006 国際出願日: 25.10.2005
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUJII, Yasushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAGIHARA, Mitsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAMOTO, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMASHITA, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUJII, Yasushi; (JP).
HAGIHARA, Mitsuo; (JP).
SAKAMOTO, Yoshinori; (JP).
YAMASHITA, Naoki; (JP)
代理人: SHOBAYASHI, Masayuki; Takase Bldg., 25-8, Higashi-ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
2005-011596 19.01.2005 JP
発明の名称: (EN) SILYLPHENYLENE POLYMER COMPOSITION FOR THE FORMATION OF INTERLAYERS AND PROCESS FOR THE FORMATION OF PATTERNS BY USING THE SAME
(FR) COMPOSITION DE POLYMERE DE SILYLPHENYLENE POUR LA FORMATION DE COUCHES INTERMEDIAIRES ET PROCEDE POUR LA FORMATION DE MOTIFS EN UTILISANT LADITE COMPOSITION
(JA) シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
要約: front page image
(EN)A composition for the formation of interlayers which are improved in etching resistance and in the ability to inhibit the reflection of a short-wavelength light (the ability to absorb a short -wavelength light). The composition comprises a silylphenylene polymer (A) comprising repeating units represented by the general formula (1): (1) (wherein R1 and R2 are each independently hydrogen or alkyl of 1 to 20 carbon atoms; and m and n are each an integer corresponding to the number of repeating units) and a solvent (B).
(FR)La présente invention concerne une composition pour la formation de couches intermédiaires qui ont une résistance améliorée à l’attaque chimique et une meilleure aptitude à inhiber la réflexion d’une lumière à longueur d'onde courte (l’aptitude à absorber une lumière à longueur d'onde courte). La composition comprend un polymère de silylphénylène (A) comprenant des motifs de répétition représentés par la formule générale (1) : (1) (dans laquelle R1 et R2 sont chacun indépendamment l’hydrogène ou un alkyle contenant 1 à 20 atomes de carbone ; et m et n sont chacun un nombre entier correspondant au nombre de motifs de répétition) et un solvant (B).
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)