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1. (WO2006075687) パターン欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/075687    国際出願番号:    PCT/JP2006/300349
国際公開日: 20.07.2006 国際出願日: 13.01.2006
IPC:
G01N 21/956 (2006.01), G01B 11/30 (2006.01), G03F 1/84 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUDOU, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUDOU, Kenji; (JP)
代理人: YOKOYAMA, Junichi; c/o FUJITSU LIMITED 1-1, Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 211-8588 (JP)
優先権情報:
2005-008158 14.01.2005 JP
発明の名称: (EN) PATTERN DEFECT INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCEDE D'INSPECTION DE DEFAUTS DE MOTIF ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) パターン欠陥検査方法及び半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)In a conventional pattern defect inspection of a complicated shape pattern formed on a reticle or a semiconductor wafer, a plenty of pseudo-defects (actually not defects) have been contained in what has been recognized as defects. It is necessary to reduce the number of pseudo-defects and significantly reduce the time required for the defect inspection. In a pattern defect inspection method in which an image of pattern to be inspected is compared to an image of a reference pattern so as to detect a defect of the pattern to be inspected, the inspection sensitivity is adjusted according to the pattern shape in the reference pattern.
(FR)Dans une opération traditionnelle d'inspection des défauts d'un motif de forme compliquée formé sur un réticule ou sur une plaquette de semi-conducteur, un grand nombre de pseudo-défauts (en réalité des non-défauts) sont reconnus comme défauts. Il est nécessaire de réduire le nombre des pseudo-défauts et de réduire considérablement le temps nécessaire pour l'inspection des défauts. Dans le procédé d'inspection de défauts faisant l'objet de cette invention, dans lequel l'image d'un défaut à inspecter est comparée à l'image d'un défaut de référence, afin de détecter tout défaut éventuel du motif à inspecter, la sensibilité d'inspection est réglée en fonction de la forme du motif de référence.
(JA)(課題)レチクル或いは半導体ウェーハに形成された複雑な形状のパターンに対する欠陥検査に際して、従来のパターン欠陥検査では、欠陥と認識されたものの中に、(実際には欠陥でない)擬似欠陥が多く含まれていた。そこで、当該欠陥検査に際して、擬似欠陥の数を減少させ、欠陥検査に要する時間を大幅に短縮する。 (解決手段)被検査パターンの画像を基準パターンの画像と比較して、該被検査パターンの欠陥を検出するパターン欠陥検査方法において、前記基準パターンにおけるパターン形状に応じて検査感度を調整する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)