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World Intellectual Property Organization
1. (WO2006075574) 抵抗変化素子とその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/075574    国際出願番号:    PCT/JP2006/300142
国際公開日: 20.07.2006 国際出願日: 10.01.2006
予備審査請求日:    05.06.2006    
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/02 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAKAI, Akihiro; (米国のみ).
ADACHI, Hideaki; (米国のみ).
ODAGAWA, Akihiro; (米国のみ).
KANNO, Tsutomu; (米国のみ).
SUGITA, Yasunari; (米国のみ).
OHNAKA, Kiyoshi; (米国のみ)
発明者: SAKAI, Akihiro; .
ADACHI, Hideaki; .
ODAGAWA, Akihiro; .
KANNO, Tsutomu; .
SUGITA, Yasunari; .
OHNAKA, Kiyoshi;
代理人: KAMADA, Koichi; 7th Fl., TOMOE MARION BLDG., 4-3-1, Nishitenma, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
2005-007379 14.01.2005 JP
(JA) 抵抗変化素子とその製造方法
要約: front page image
(EN)There are provided a resistance change element having an excellent heat resistance for suppressing degrading of resistance change characteristic upon temperature increase as compared to a conventional element and a manufacturing method of the element. The resistance change element includes a substrate and a multi-layered structure arranged on the substrate. The multi-layered structure has an upper electrode, a lower electrode, and a resistance change layer arranged between the upper electrode and the lower electrode. The resistance change element has at least two states when the electric resistance value of the upper electrode is different from that of the lower electrode. By applying a predetermined electric pulse between the upper electrode and the lower electrode, the state is changed from selected one of the at least two states to another state. The resistance change layer has a composition expressed by Expression (Pr, Ca)MnOx1 and the multi-layered structure further includes at least one electrode selected from the upper electrode and the lower electrode and an oxygen lacking layer having a composition expressed by Expression (Pr, Ca)MnOx2. Here, x1 and x2 satisfy the following: 0 < x1 ≤ 3, 0 < x2 < 3, and x2 < x1.
(FR)La présente invention concerne un élément de changement de résistance ayant une excellente résistance à la chaleur, destiné à supprimer la dégradation de la caractéristique de changement de résistance lors d'une augmentation de température, par rapport à un élément classique. L'invention concerne également un procédé de fabrication de l'élément. Ledit élément comprend un substrat et une structure à couches multiples disposée sur le substrat, ladite structure comportant une électrode supérieure, une électrode inférieure et une couche de changement de résistance disposée entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure. Ledit élément présente au moins deux états lorsque la valeur de la résistance électrique de l'électrode supérieure est différente de celle de l'électrode inférieure. L'application d'une impulsion électrique prédéterminée entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure, fait passer l'élément de l'état sélectionné parmi ces états au nombre d'au moins deux à un autre état. La couche de changement de résistance comporte une composition exprimée par (Pr, Ca)MnOx1 et la structure à couches multiples comprend en outre au moins une électrode sélectionnée parmi l'électrode supérieure et l'électrode inférieure, ainsi qu'une couche appauvrie en oxygène comportant une composition exprimée par (Pr, Ca)MnOx2. Ici, x1 et x2 satisfont ce qui suit: 0 < x1 = 3, 0 < x2 < 3 et x2 < x1.
(JA) 従来の素子に比べて、昇温時における抵抗変化特性の劣化が抑制された、耐熱性に優れる抵抗変化素子とその製造方法とを提供する。基板と、基板上に配置された多層構造体とを含み、多層構造体が、上部電極および下部電極と、上部電極と下部電極との間に配置された抵抗変化層とを含み、上部電極と下部電極との間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、上部電極と下部電極との間に所定の電気パルスを印加することにより、上記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、抵抗変化層が式(Pr,Ca)MnOx1により示される組成を有し、多層構造体が、上部電極および下部電極から選ばれる少なくとも1つの電極と、抵抗変化層との間に配置された、式(Pr,Ca)MnOx2により示される組成を有する酸素欠損層をさらに含む素子とする。ただしx1およびx2は、0<x1≦3、0<x2<3、および、x2<x1を満たす。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)