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1. (WO2006075568) 多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/075568    国際出願番号:    PCT/JP2006/300126
国際公開日: 20.07.2006 国際出願日: 10.01.2006
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TSUNAZAWA, Hiroshi; (米国のみ).
NAKAYAMA, Junichiro; (米国のみ).
INUI, Tetsuya; (米国のみ)
発明者: TSUNAZAWA, Hiroshi; .
NAKAYAMA, Junichiro; .
INUI, Tetsuya;
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2005-004241 11.01.2005 JP
発明の名称: (EN) PRODUCTION METHOD AND PRODUCTION DEVICE FOR POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR THIN FILM
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DESTINES A UN FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置
要約: front page image
(EN)A production method and a production device for a polycrystalline semiconductor thin film capable of producing efficiently a polycrystalline semiconductor thin film having a uniform and long lateral growth distance. A production method for a polycrystalline semiconductor thin film having a laterally grown polycrystalline, comprising the step of irradiating the first irradiation area of a semiconductor thin film with a first laser beam having an energy quantity enough to melt and crystallize the semiconductor thin film over the entire thickness-direction area, and the step of irradiating a second irradiation area including the first irradiation area with a second laser beam having an energy quantity not enough to melt the semiconductor thin film. It is preferable that the optical axis of the first laser beam is in a vertical direction to the surface of the semiconductor thin film, and the optical axis of the second laser beam is in an oblique direction to the surface of the semiconductor thin film.
(FR)L'invention concerne un procédé de production et un dispositif de production destinés à un film mince semi-conducteur polycristallin et capables de produire de manière efficace un film mince semi-conducteur polycristallin présentant une distance de croissance uniforme et latérale longue. Ledit procédé comprend l'étape consistant à irradier la première zone d'irradiation d'un film mince semi-conducteur au moyen d'un premier faisceau laser possédant une quantité d'énergie suffisante pour fondre et cristalliser le film mince semi-conducteur sur l'ensemble de la zone épaisseur-direction et l'étape consistant à irradier une seconde zone d'irradiation comprenant la première zone d'irradiation au moyen d'un second faisceau laser possédant une quantité d'énergie insuffisante pour fondre le film mince semi-conducteur. Il est préférable que l'axe optique du premier faisceau laser soit dans une direction verticale par rapport à la surface du film mince semi-conducteur et que l'axe optique du second faisceau laser soit dans une direction oblique par rapport à la surface du film mince semi-conducteur.
(JA) 均一かつ長いラテラル成長距離を有する多結晶半導体薄膜を効率よく製造できる多結晶半導体薄膜の製造方法および製造装置を提供する。ラテラル成長させた多結晶を有する多結晶半導体薄膜の製造方法であって、半導体薄膜を厚み方向全域にわたって溶融および結晶化させ得るエネルギー量を有する第1のレーザ光を該半導体薄膜の第1照射領域に照射する工程と、該半導体薄膜を溶融させないエネルギー量を有する第2のレーザ光を、該第1照射領域を包含する第2照射領域に照射する工程と、を含む工程を含む多結晶半導体薄膜の製造方法に関する。第1のレーザ光の光軸は半導体薄膜表面に対して垂直方向であり、かつ第2のレーザ光の光軸は半導体薄膜表面に対して斜め方向であることが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)