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1. (WO2006075511) GaN系半導体発光素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/075511    国際出願番号:    PCT/JP2005/023760
国際公開日: 20.07.2006 国際出願日: 26.12.2005
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKUYAMA, Hiroyuki; (米国のみ).
BIWA, Goshi; (米国のみ)
発明者: OKUYAMA, Hiroyuki; .
BIWA, Goshi;
代理人: NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office, Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2005-003436 11.01.2005 JP
発明の名称: (EN) GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR FABRICATING SAME
(FR) ELEMENT LUMINEUX EN SEMICONDUCTEUR A BASE DE GaN ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) GaN系半導体発光素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A GaN-based semiconductor light-emitting element in which piezoelectric spontaneous polarization can be suppressed in the thickness direction of an active layer while lowering the driving voltage of a light-emitting diode. The GaN-based semiconductor light-emitting element comprises a first GaN-based compound semiconductor layer (21) of first conductivity type having a top face parallel with the face A, an active layer (22) having a top face parallel with the face A, a second GaN-based compound semiconductor layer (23) of second conductivity type having a top face parallel with the face A, and a contact layer (24) composed of a GaN-based compound semiconductor and having a top face parallel with the face A which are formed sequentially in layers. A first electrode (25) is formed on the first GaN-based compound semiconductor layer (21) and a second electrode (26) is formed on the contact layer (24).
(FR)L’invention concerne un élément lumineux en semiconducteur à base de GaN, permettant de supprimer la polarisation piézoélectrique spontanée dans la direction de l’épaisseur d’une couche active et de réduire la tension d’excitation d’une diode lumineuse. L’élément lumineux en semiconducteur à base de GaN comprend une première couche en composé semiconducteur à base de GaN (21) possédant un premier type de conductivité et présentant une face de dessus parallèle à la face A, une couche active (22) présentant une surface de dessus parallèle à la face A, une deuxième couche en composé semiconducteur à base de GaN (23) possédant un deuxième type de conductivité et présentant une face de dessus parallèle à la face A, et une couche de contact (24) constituée d’un composé semiconducteur à base de GaN et présentant une face de dessus parallèle à la face A. Les couches sont superposées les unes sur les autres. Une première électrode (25) est formée sur la première couche en composé semiconducteur à base de GaN (21) et une deuxième électrode (26) est formée sur la couche de contact (24).
(JA) 活性層の厚さ方向におけるピエゾ自発分極の発生を抑制することができ、しかも、発光ダイオードの駆動電圧の低電圧化を図り得るGaN系半導体発光素子を提供する。GaN系半導体発光素子は、頂面がA面と平行であり、第1導電型を有する第1のGaN系化合物半導体層21、頂面がA面と平行である活性層22、頂面がA面と平行であり、第2導電型を有する第2のGaN系化合物半導体層23、GaN系化合物半導体から成り、頂面がA面と平行であるコンタクト層24が、順次、積層されて成り、第1のGaN系化合物半導体層21上に形成された第1電極25、及び、コンタクト層24上に形成された第2電極26を具備する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)