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1. (WO2006075444) 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/075444    国際出願番号:    PCT/JP2005/020945
国際公開日: 20.07.2006 国際出願日: 15.11.2005
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUSHIMA, Yasumori; (米国のみ).
TAKAFUJI, Yutaka; (米国のみ).
MORIGUCHI, Masao; (米国のみ)
発明者: FUKUSHIMA, Yasumori; .
TAKAFUJI, Yutaka; .
MORIGUCHI, Masao;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2005-005300 12.01.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device manufacturing method is composed of an element forming plane forming process wherein a plurality of element forming planes (50) having different heights are formed stepwise on a semiconductor layer (1); a semiconductor element forming process wherein semiconductor elements (51, 52) are formed on a region including the element forming planes (50); a step compensation insulating film forming process wherein a step compensation insulating film (28), which covers the semiconductor elements (51, 52) and has a stepwise surface along the element forming planes (50), is formed on the semiconductor layer (1); a peeling layer forming process wherein a peeling layer (31) is formed by ion-implanting a peeling material (30) into the semiconductor layer (1) through the step compensation insulating film (28); and a separating process of separating a part of the semiconductor layer (1) along the peeling layer (31).
(FR)Selon la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur est composé d'un procédé de formation d'un plan formant élément dans lequel une pluralité de plans formant éléments (50) de hauteurs différentes est formée progressivement sur une couche semi-conductrice (1) ; un procédé de formation d'éléments semi-conducteurs dans lequel des éléments semi-conducteurs (51, 52) sont formés sur une région comprenant les plans formant éléments (50) ; un procédé de formation de film isolant à compensation progressive dans lequel un film isolant à compensation progressive (28), qui recouvre les éléments semi-conducteurs (51, 52) et présente une surface en escalier le long des plans formant éléments (50), est formé sur la couche semi-conductrice (1) ; un procédé de formation de couche de pelage dans lequel une couche de pelage (31) est formée par implantation ionique d'un matériau de pelage (30) dans la couche semi-conductrice (1) à travers ledit film (28) et un procédé de séparation consistant à séparer une partie de la couche semi-conductrice (1) le long de la couche de pelage (31).
(JA) 半導体層1に高さの異なる複数の素子形成面50を段差状に形成する素子形成面形成工程と、素子形成面50を含む領域に半導体素子51,52を形成する半導体素子形成工程と、半導体層1に対し、半導体素子51,52を覆うと共に素子形成面50に沿った段差状の表面を有する段差補償絶縁膜28を形成する段差補償絶縁膜形成工程と、半導体層1に対し、段差補償絶縁膜28を介して剥離物質30をイオン注入することにより、剥離層31を形成する剥離層形成工程と、半導体層1の一部を剥離層31に沿って分離する分離工程とを行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)