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1. (WO2006075426) 裏面接合型太陽電池及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/075426    国際出願番号:    PCT/JP2005/019383
国際公開日: 20.07.2006 国際出願日: 21.10.2005
予備審査請求日:    20.02.2006    
IPC:
H01L 31/068 (2006.01)
出願人: NAOETSU ELECTRONICS CO., LTD. [JP/JP]; 596-2, Jyonokoshi, Kubiki-ku Jyoetu-shi, Niigata 942-0193 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ONISHI, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKATSUKA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IGARASHI, Shunichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ONISHI, Tsutomu; (JP).
AKATSUKA, Takeshi; (JP).
IGARASHI, Shunichi; (JP)
代理人: HOSOI, Sadayuki; Hayakawa Bldg. 14-7, Hakusan 5-chome Bunkyo-ku, Tokyo 112-0001 (JP)
優先権情報:
2004-376603 27.12.2004 JP
発明の名称: (EN) BACK JUNCTION SOLAR CELL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) PILE SOLAIRE À JONCTION DE RENFORT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 裏面接合型太陽電池及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A minute arrangement of p+ type diffusion layer and n+ type diffusion layer without contact with each other. On the backside (1a) of semiconductor substrate (1), there are simultaneously formed p+ type diffusion layer (2) and n+ type diffusion layer (3) in close vicinity of each other. Portion of the backside (1a) of the semiconductor substrate (1) where outer edges of the p+ type diffusion layer (2) and n+ type diffusion layer (3) are brought into contact with each other is removed to thereby separate the p+ type diffusion layer (2) and n+ type diffusion layer (3) from each other. As a result, the p+ type diffusion layer (2) and n+ type diffusion layer (3) are arranged in close vicinity of each other but separately from each other.
(FR)L’invention concerne une configuration précise d’une couche de diffusion de type p+ et d’une couche de diffusion de type n+ sans contact l’une avec l’autre. Au dos (1a) d’un substrat semi-conducteur (1), sont formées simultanément une couche de diffusion de type p+ (2) et une couche de diffusion de type n+ (3) très près l’une de l’autre. Une partie du dos (1a) du substrat semi-conducteur (1) où les bords externes de la couche de diffusion de type p+ (2) et de la couche de diffusion de type n+ (3) sont mis au contact l’un de l’autre, est retirée pour alors séparer la couche de diffusion de type p+ (2) et la couche de diffusion de type n+ (3) l’une de l’autre. Ainsi, la couche de diffusion de type p+ (2) et la couche de diffusion de type n+ (3) sont disposées très près l’une de l’autre, mais séparées l’une de l’autre.
(JA) p型拡散層とn型拡散層を接触させずに細かく配置する。  半導体基板1の裏面1aに、p型拡散層2とn型拡散層3を互いに接近させて同時に形成し、これらp型拡散層2とn型拡散層3の外側端部同士が接触する半導体基板1の裏面1a側を除去して、p型拡散層2とn型拡散層3を分離させることにより、p型拡散層2とn型拡散層3が互いに接近して分離配置される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)