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1. (WO2006073077) 赤外発光ダイオード及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/073077    国際出願番号:    PCT/JP2005/023749
国際公開日: 13.07.2006 国際出願日: 26.12.2005
IPC:
H01L 33/30 (2010.01)
出願人: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1010021 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Haruhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUROSAWA, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ARAKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WATANABE, Haruhiko; (JP).
KUROSAWA, Yoshinori; (JP).
ARAKI, Takashi; (JP)
代理人: HIRAYAMA, Kazuyuki; 6th Floor, Shinjukugyoen Bldg. 2-3-10, Shinjuku Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2005-001018 05.01.2005 JP
発明の名称: (EN) INFRARED LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE INFRAROUGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 赤外発光ダイオード及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is an infrared light-emitting diode (1) comprising at least one p-type cladding layer (2) containing p-type AlxGa1-xAs (wherein 0.15 ≤ x ≤ 0.45), an active layer (3) containing p-type AlyGa1-yAs (wherein 0 ≤ y ≤ 0.01) and at least one n-type cladding layer (4) containing n-type AlzGa1-zAs (wherein 0.15 ≤ z ≤ 0.45), wherein the thickness of the active layer (3) is 2-6 μm and the emission peak wavelength at room temperature can be 880-890 nm. This infrared light-emitting diode (1) can be used as a high-power, quickly responsive infrared light source for both infrared communication systems and remote control communication systems.
(FR)L’invention concerne une diode électroluminescente infrarouge (1) comprenant au moins une couche de protection de type p (2) contenant du AlxGa1-xAs de type p (où 0,15 ≤ x ≤ 0,45), une couche active (3) contenant du AlyGa1-yAs de type p (où 0 ≤ y ≤ 0,01) et au moins une couche de protection de type n (4) contenant du AlzGa1-zAs de type n (où 0,15 ≤ z ≤ 0,45), où l’épaisseur de la couche active (3) est comprise entre 2 et 6 µm et la longueur d’onde du pic d’émission à la température ambiante peut être de l’ordre de 880 à 890 nm. On peut utiliser cette diode électroluminescente infrarouge (1) comme source de lumière infrarouge à réaction rapide, haute puissante à la fois pour les systèmes de communication infrarouges et les systèmes de communication à commande à distance.
(JA) 赤外発光ダイオード(1)は、p型のAlGa1-x As(0.15≦x≦0.45)を含む少なくとも1層のp型クラッド層(2)と、p型のAlGa1-y As(0≦y≦0.01)を含む活性層(3)と、n型のAlGa1-z As(0.15≦z≦0.45)を含む少なくとも1層のn型クラッド層(4)とを有し、活性層(3)の厚みは、2~6μmであり、室温における発光ピーク波長を880~890nmとすることができ、赤外線通信とリモコン操作用通信との双方への、高出力、高速応答可能な赤外光源として利用可能である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)