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1. (WO2006070773) スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/070773    国際出願番号:    PCT/JP2005/023845
国際公開日: 06.07.2006 国際出願日: 27.12.2005
予備審査請求日:    25.10.2006    
IPC:
H01L 49/02 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAKAMOTO, Toshitsugu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAURA, Hisao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUNAMURA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
BANNO, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAKAMOTO, Toshitsugu; (JP).
KAWAURA, Hisao; (JP).
SUNAMURA, Hiroshi; (JP).
BANNO, Naoki; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg., 9-20, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
優先権情報:
2004-378701 28.12.2004 JP
発明の名称: (EN) SWITCHING ELEMENT, REWRITABLE LOGICAL INTEGRATED CIRCUIT, AND MEMORY ELEMENT
(FR) ELEMENT DE COMMUTATION, CIRCUIT INTEGRE LOGIQUE REINSCRIPTIBLE ET ELEMENT DE MEMOIRE
(JA) スイッチング素子、書き換え可能な論理集積回路、およびメモリ素子
要約: front page image
(EN)A switching element comprising an ion conductor layer (40) containing oxides, a first electrode (21) and a second electrode (31) that are provided in contact with the ion conductor layer (40) and are connected by the deposition of metal supplied from the outside or are changed in electric characteristics by melting of deposited metal , and a third electrode (35) provided in contact with the ion conductor layer (40) and able to supply metal ions. Such constitution enables a switching voltage to be set higher than ever before.
(FR)L'invention concerne un élément de commutation comprenant une couche conductrice d’ions (40) contenant des oxydes, une première électrode (21) et une deuxième électrode (31) qui sont mises en contact avec la couche conductrice d’ions (40) et sont reliées par le dépôt de métal fourni de l’extérieur ou leurs caractéristiques électriques sont modifiées en fondant le métal déposé, et une troisième électrode (35) mise en contact avec la couche conductrice d’ions (40) et susceptible de fournir des ions métalliques. Une telle constitution permet de configurer une tension de commutation sur une valeur supérieure à la précédente.
(JA) 本発明のスイッチング素子は、酸化物を含むイオン伝導層40と、イオン伝導層40に接して設けられ、外部から供給される金属の析出により接続され、または、析出した金属の溶解により電気特性が変化する第1電極21および第2電極31と、イオン伝導層40に接して設けられ、金属のイオンを供給可能な第3電極35とを有する構成である。このように構成することで、スイッチング電圧を従来よりも高く設定することが可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)