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1. (WO2006070652) 半導体装置およびその製造方法と、配線基板およびその製造方法と、半導体パッケージ並びに電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/070652    国際出願番号:    PCT/JP2005/023451
国際公開日: 06.07.2006 国際出願日: 21.12.2005
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/10 (2006.01), H01L 25/11 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H05K 3/42 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NEC ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 1753, Shimonumabe, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118668 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SOGAWA, Yoshimichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAZAKI, Takao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAZEYAMA, Ichirou [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITAJOU, Sakae [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAHASHI, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SOGAWA, Yoshimichi; (JP).
YAMAZAKI, Takao; (JP).
HAZEYAMA, Ichirou; (JP).
KITAJOU, Sakae; (JP).
TAKAHASHI, Nobuaki; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg., 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2004-377760 27.12.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, SEMICONDUCTOR PACKAGE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF, CARTE DE CONNEXION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LADITE CARTE, PAQUET SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置およびその製造方法と、配線基板およびその製造方法と、半導体パッケージ並びに電子機器
要約: front page image
(EN)Passivation films (3a, 3b) are so formed as to cover both sides of a semiconductor substrate (1) respectively having terminal pads (2a, 2b). Openings (3c, 3d) are formed in the passivation films (3a, 3b) in positions overlapping the terminal pads (2a, 2b). A through hole (9) penetrating the terminal pad (2a), the semiconductor substrate (1) and the terminal pad (2b) is formed inside of each opening (3c, 3d). The inner surface of the through hole (9) is provided with an insulating layer (4) which is composed of SiO2, SiN, SiO or the like. A buffer layer (5) composed of a conductive adhesive is so formed as to cover the insulating layer (4) and the terminal pads (2a, 2b) inside the openings (3c, 3d). Further, a conductive layer (6) composed of a metal film is formed on the buffer layer (5) by electrolytic plating or electroless plating.
(FR)Selon l’invention des films de passivation (3a, 3b) sont formés pour recouvrir les deux côtés d’un substrat semi-conducteur (1) ayant respectivement les patins de terminal (2a, 2b). Des ouvertures (3c, 3d) sont formées dans les films de passivation (3a, 3b) dans des positions chevauchant les patins de terminal (2a, 2b). Un trou traversant (9) pénétrant le patin de terminal (2a), le substrat semi-conducteur (1) et le patin de terminal (2b) est formé à l’intérieur de chaque ouverture (3c, 3d). La surface interne du trou traversant (9) est pourvue d’une couche isolante (4) composée de SiO2, SiN, SiO ou autre. Une couche tampon (5) composée d’un adhésif conducteur est disposée pour recouvrir la couche isolante (4) et les patins de terminal (2a, 2b) à l’intérieur des ouvertures (3c, 3d). De plus, une couche conductrice (6) composée d'un film métallique est formée sur la couche tampon (5) par placage électrolytique ou placage autocatalytique.
(JA) 両面に端子パッド2a,2bを有する半導体基板1の両面を覆うようにパッシベーション膜3a,3bが形成されている。このパッシベーション膜3a,3bの、端子パッド2a,2bと重なる位置に、開口部3c,3dが設けられている。開口部3c,3dの内側に、端子パッド2aと半導体基板1と端子パッド2bを貫通する貫通孔9が形成されている。貫通孔9の内面に、SiO、SiN、またはSiO等からなる絶縁層4が形成されている。絶縁層4と、開口部3c,3d内の端子パッド2a,2bとを覆うように、導電性接着剤からなるバッファ層5が形成されている。さらに、電解めっきまたは無電解めっき等により、バッファ層5上に、金属膜からなる導電層6が形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)