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1. (WO2006070553) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/070553    国際出願番号:    PCT/JP2005/021868
国際公開日: 06.07.2006 国際出願日: 29.11.2005
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
GLENN, Gale [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIROTA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MURAKI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Genji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUSHIBIKI, Masato [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHINDO, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Akitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ASHIGAKI, Shigeo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATO, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: GLENN, Gale; (JP).
HIROTA, Yoshihiro; (JP).
MURAKI, Yusuke; (JP).
NAKAMURA, Genji; (JP).
KUSHIBIKI, Masato; (JP).
SHINDO, Naoki; (JP).
SHIMIZU, Akitaka; (JP).
ASHIGAKI, Shigeo; (JP).
KATO, Yoshihiro; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
優先権情報:
2004-380704 28.12.2004 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device from a laminate having a semiconductor substrate, a high dielectric film formed on the above semiconductor substrate and, formed above the high dielectric film, a SiC based film having a reflection-preventive function and a hardmask function, wherein it comprises a plasma treatment step of applying a plasma to the above SiC based film and the above high dielectric film, for modification, and a cleaning treatment step of removing both of the above SiC based film and the above high dielectric film modified by wet washing.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur à partir d’un stratifié ayant un substrat semi-conducteur, un film fortement diélectrique formé sur le substrat semi-conducteur ci-dessus et, formé au-dessus du film fortement diélectrique, un film à base SiC remplissant une fonction anti-réflexion et une fonction de masque dur, comprenant une phase de traitement au plasma consistant à appliquer un plasma au film à base SiC ci-dessus et au film fortement diélectrique ci-dessus, pour modification, et une phase de traitement de nettoyage consistant à enlever à la fois le film à base SiC ci-dessus et le film fortement diélectrique ci-dessus modifiés par lavage humide.
(JA) 本発明は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された高誘電体膜と、前記高誘電体膜より上層に形成された反射防止機能とハードマスク機能とを有するSiC系膜と、を有する積層体から半導体装置を製造する方法である。本発明は、前記SiC系膜および前記高誘電体膜にプラズマを作用させて改質するプラズマ処理工程と、前記プラズマ処理工程にて改質された前記SiC系膜および前記高誘電体膜をウエット洗浄によって一括して除去する洗浄処理工程と、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)