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1. (WO2006070452) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/070452    国際出願番号:    PCT/JP2004/019602
国際公開日: 06.07.2006 国際出願日: 28.12.2004
予備審査請求日:    28.12.2004    
IPC:
C25D 21/18 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), C25D 17/00 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01)
出願人: RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006334 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KANAOKA, Taku [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KANAOKA, Taku; (JP)
代理人: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 6th Floor, Kokusai Chusei Kaikan, 14, Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020076 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises providing a tank (21) for storing a plating solution in addition to a plating treatment tank (20), and arranging magnets (33a to 33d) in the plating solution storage tank, specifically, arranging a magnet (33a) in a dam provided at the inlet of the plating solution (27) in the plating solution storage tank (21), a magnet (33b) at the surface layer of the plating solution (27) stored therein, a magnet (33c) in the vicinity of the outlet of the plating solution (27) and a magnet (33d) at a bottom portion of the plating solution (27). The above method can be suitably employed for removing the sludge present in a plating solution efficiently while preventing the fluctuation of the film thickness of a nickel film formed on a wafer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant à semiconducteur, qui consiste à mettre à disposition un réservoir (21) destiné à stocker une solution de plaquage en plus d'un réservoir de traitement par plaquage (20), et agencer des aimants (33a à 33d) dans le réservoir de stockage de solution de plaquage, en particulier agencer un aimant (33a) dans un écran prévu au niveau de l'orifice d'entrée de la solution de plaquage (27) dans le réservoir de stockage de solution de plaquage (21), un aimant (33b) au niveau de la couche de surface de la solution de plaquage (27) stockée dans celui-ci, un aimant (33c) au voisinage de l'orifice de sortie de la solution de plaquage (27) et un aimant (33d) au niveau d'une partie inférieure de la solution de plaquage (27). Le procédé ci-dessus peut être convenablement employé pour éliminer efficacement le dépôt présent dans une solution de plaquage tout en empêchant toute variation de l'épaisseur d'un film de nickel formé sur une tranche.
(JA) ウェハ上に形成されるニッケル膜の膜厚変動を防止しながら、めっき液中に存在するスラッジを効率的に除去することができる技術を提供することを目的とする。この目的を達するため、めっき処理槽20とは別に設けられためっき液貯蔵槽21内に磁石33a~33dを配置する。具体的には、めっき液貯蔵槽21のうちめっき液27の流入口に設けられた堰に磁石33aを設置する。また、貯蔵されているめっき液27の表層部に磁石33bを設け、さらに、めっき液27の流出口近傍に磁石33cを設ける。そして、めっき液27の底部に磁石33dを設ける。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)