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1. (WO2006043640) メゾポーラス薄膜およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/043640 国際出願番号: PCT/JP2005/019323
国際公開日: 27.04.2006 国際出願日: 20.10.2005
IPC:
H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 31/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
288
液体からの析出,例.電解液からの析出
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
出願人:
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 〒5650871 大阪府吹田市山田丘1番1号 Osaka 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP (AllExceptUS)
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
西山 憲和 NISHIYAMA, Norikazu; null (UsOnly)
高岡 将樹 TAKAOKA, Masaki; null (UsOnly)
神澤 公 KAMISAWA, Akira; null (UsOnly)
発明者:
西山 憲和 NISHIYAMA, Norikazu; null
高岡 将樹 TAKAOKA, Masaki; null
神澤 公 KAMISAWA, Akira; null
代理人:
小栗 昌平 OGURI, Shohei; 〒1076013 東京都港区赤坂一丁目12番32号アーク森ビル13階 栄光特許事務所 Tokyo Eikoh Patent Office 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0003, JP
優先権情報:
2004-30873222.10.2004JP
発明の名称: (EN) MESOPOROUS THIN-MEMBRANE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) FINE MEMBRANE MÉSOPOREUSE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) メゾポーラス薄膜およびその製造方法
要約:
(EN) A conductive porous membrane with high porosity and high mechanical strength. There is provided a mesoporous thin-membrane produced through the steps of preparing a precursor solution containing phosphoric acid and a surfactant; feeding the precursor solution onto a substrate to thereby form a precursor thin-membrane; bringing the precursor thin-membrane obtained by the foregoing step into contact with a metallic vapor; reacting the metallic vapor with phosphoric acid to thereby form a self-assembled thin-membrane; and removing the surfactant from the self-assembled thin-membrane, so that a crosslinked structure having the skeleton of metal phosphate (M-POx) is arranged so as to surround periodically arranged pores.
(FR) L’invention concerne une membrane poreuse conductrice de grande porosité et de forte résistance mécanique. L’invention porte sur une fine membrane mésoporeuse produite à travers les phases d’élaboration d’une solution précurseur contenant un acide phosphorique et un tensioactif ; d’application de la solution précurseur sur un substrat pour ainsi constituer une fine membrane précurseur ; de mise de la fine membrane précurseur obtenue dans la phase précédente au contact d’une vapeur métallique ; de mise en réaction de la vapeur métallique avec de l’acide phosphorique pour ainsi constituer une fine membrane assemblée automatiquement ; et d’enlèvement du tensioactif de la fine membrane assemblée automatiquement, pour disposer une structure réticulée possédant le squelette de phosphate de métal (M-POx) de façon à ce qu'elle entoure les pores disposés de façon périodique.
(JA)  空孔率が高く、機械的強度の強い導電性多孔質膜を提供する。  発明のメゾポーラス薄膜は、燐酸と界面活性剤とを含む前駆体溶液を調製する工程と、前記前駆体溶液を基板に供給し、前駆体薄膜を形成する工程と、前記薄膜を形成する工程で得られた前駆体薄膜に、金属を含む蒸気を接触させる接触工程と、前記金属を含む蒸気と燐酸とを反応させ自己組織化薄膜を形成する工程と、自己組織化薄膜から、界面活性剤を離脱させる離脱工程とによって形成され、燐酸金属塩(M-PO)骨格を持つ架橋構造体が、周期的に配列された空孔を囲むように配列される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020070073801US20090039346CN101053067