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1. (WO2006043530) 基板加熱処理装置及び基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/043530 国際出願番号: PCT/JP2005/019090
国際公開日: 27.04.2006 国際出願日: 18.10.2005
IPC:
H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 21/26 (2006.01) ,H01L 21/673 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324
半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
673
特に適合するキャリアを使用するもの
出願人:
キヤノンアネルバ株式会社 Canon ANELVA Corporation [JP/JP]; 〒1838508 東京都府中市四谷5丁目8番1号 Tokyo 8-1, Yotsuya 5-chome, Fuchu-shi Tokyo 1838508, JP (AllExceptUS)
柴垣真果 SHIBAGAKI, Masami [JP/JP]; JP (UsOnly)
榑松保美 KUREMATSU, Yasumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
柴垣真果 SHIBAGAKI, Masami; JP
榑松保美 KUREMATSU, Yasumi; JP
代理人:
鈴木正次 SUZUKI, Shoji; 〒1600022 東京都新宿区新宿1-10-3 太田紙興新宿ビル9階 Tokyo Ohtakamico-Shinjuku Bldg., 9th Fl., 10-3, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2004-30387319.10.2004JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE HEAT TREATMENT APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER TRAY USED IN SUBSTRATE HEAT TREATMENT
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRAT ET PLATEAU DE TRANSFERT DE SUBSTRAT UTILISE DANS LE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRAT
(JA) 基板加熱処理装置及び基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ
要約:
(EN) [PROBLEMS] To provide a substrate heat treatment apparatus which can suppress generation of a rough surface of a substrate to which heat treatment is performed. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The substrate heat treatment apparatus is provided with a heating means for performing heat treatment to a substrate arranged in a treatment chamber which can be evacuated, and the apparatus performs heat treatment to the substrate arranged in the treatment chamber by the heating means. A susceptor is arranged between the heating means and the substrate, and a susceptor surface on a side whereupon the substrate is arranged is covered with a member which does not discharge a gas while the substrate heat treatment is performed. A heat receiving body for receiving heat from the heating means through the susceptor is arranged on a side which faces the susceptor by having the substrate in between, and a surface of the heat receiving body on the side whereupon the substrate is arranged is covered with a member which does not discharge a gas while the substrate heat treatment is performed.
(FR) L’invention porte sur un appareil de traitement thermique de substrat capable de supprimer la production d’une surface rugueuse d’un substrat soumis à un traitement thermique. L’appareil de traitement thermique de substrat est pourvu d’un moyen de chauffage pour réaliser un traitement thermique sur un substrat disposé dans une chambre de traitement que l’on peut évacuer, et l’appareil réalise un traitement thermique sur le substrat disposé dans la chambre de traitement par le moyen de chauffage. Un suscepteur est disposé entre le moyen de chauffage et le substrat, et une surface de suscepteur sur un côté sur lequel le substrat est disposé, est recouverte d’un élément n’émettant pas de gaz pendant le traitement thermique du substrat. Un corps récepteur de chaleur permettant de recevoir la chaleur provenant du moyen de chauffage à travers le suscepteur est disposé sur un côté faisant face au suscepteur en prenant le substrat en sandwich, et une surface du corps récepteur de chaleur sur le côté sur lequel le substrat est disposé, est recouverte d’un élément n’émettant pas de gaz pendant le traitement thermique du substrat.
(JA) 【課題】加熱処理される基板の表面荒れの発生を抑えることができる基板の加熱処理装置を提供する。 【解決手段】真空排気可能な処理室内に配置された基板を加熱処理する加熱手段を備え、前記処理室中に配置されている基板を前記加熱手段によって加熱処理する基板加熱処理装置であって、前記加熱手段と基板との間にサセプタが配備されており、当該サセプタの前記基板が配置されている側の表面が前記基板加熱処理の間にガスを放出しない部材で被覆されている基板加熱処理装置。前記基板を間に挟んで、前記サセプタに対向する側に前記サセプタを介した前記加熱手段からの熱を受ける熱受け体が配備されており、当該熱受け体の前記基板が配置されている側の表面が前記基板加熱処理の間にガスを放出しない部材で被覆されている基板加熱処理装置。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020070062977EP1804284JPWO2006043530US20070194001JP4599363CN101036220