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1. (WO2006043439) 半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/043439 国際出願番号: PCT/JP2005/018668
国際公開日: 27.04.2006 国際出願日: 11.10.2005
IPC:
H01L 21/312 (2006.01) ,C09D 183/04 (2006.01) ,C09D 183/02 (2006.01) ,C08G 77/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
D
コーティング組成物,例.ペンキ,ワニスまたはラッカー;パテ;塗料除去剤インキ消し;インキ;修正液;木材用ステイン;糊状または固形の着色料または捺染料;これらの物質の使用法
183
主鎖のみに,いおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づくコーティング組成物;そのような重合体の誘導体に基づくコーティング組成物
04
ポリシロキサン
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
D
コーティング組成物,例.ペンキ,ワニスまたはラッカー;パテ;塗料除去剤インキ消し;インキ;修正液;木材用ステイン;糊状または固形の着色料または捺染料;これらの物質の使用法
183
主鎖のみに,いおう,窒素,酸素または炭素を含みまたは含まずにけい素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物に基づくコーティング組成物;そのような重合体の誘導体に基づくコーティング組成物
02
ポリシリケート
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
77
高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
04
ポリシロキサン
出願人:
触媒化成工業株式会社 CATALYSTS & CHEMICALS INDUSTRIES CO., LTD. [JP/JP]; 〒2120013 神奈川県川崎市幸区堀川町580番地 Kanagawa 580, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2120013, JP (AllExceptUS)
江上 美紀 EGAMI, Miki [JP/JP]; JP (UsOnly)
荒尾 弘樹 ARAO, Hiroki [JP/JP]; JP (UsOnly)
中島 昭 NAKASHIMA, Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
小松 通郎 KOMATSU, Michio [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
江上 美紀 EGAMI, Miki; JP
荒尾 弘樹 ARAO, Hiroki; JP
中島 昭 NAKASHIMA, Akira; JP
小松 通郎 KOMATSU, Michio; JP
代理人:
石田 政久 ISHIDA, Masahisa; 〒1430023 東京都大田区山王1丁目28-10 Tokyo 28-10, Sannoh 1-chome Ohta-ku, Tokyo 1430023, JP
優先権情報:
2004-30566220.10.2004JP
発明の名称: (EN) COATING LIQUID FOR FORMATION OF PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING, METHOD FOR PREPARATION THEREOF, AND PROTECTIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING PROVIDED THEREFROM
(FR) LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR L’ÉLABORATION DE FILM DE PROTECTION POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ D’ÉLABORATION DE CELUI-CI, ET FILM DE PROTECTION POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR OBTENU À PARTIR DE CELUI-CI
(JA) 半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜
要約:
(EN) This invention provides a coating liquid for the formation of a protective film for semiconductor processing, such as a CMP sacrificial film having high film strength and low specific permittivity and an etching stopper film, a method for the preparation thereof, and a protective film for semiconductor processing formed from the coating liquid. The coating liquid for the formation of a protective film for semiconductor processing is characterized by comprising (a) either a silicon compound prepared by hydrolyzing a tetraalkylorthosilicate (TAOS) and an alkoxysilane (AS) in the presence of tetramethylammonium hydroxide (TMAOH) and water, or a silicon compound prepared by hydrolyzing or partially hydrolyzing a tetraalkylorthosilicate (TAOS) in the presence of tetramethylammonium hydroxide (TMAOH) and water, mixing the hydrolyzate or partial hydrolyzate with an alkoxysilane (AS) or a hydrolyzate or partial hydrolyzate thereof and if necessary further hydrolyzing a part or the whole of the mixture, (b) an organic solvent, and (c) water, the content of water contained in the liquid composition being in the range of 35 to 65% by weight.
(FR) La présente invention porte sur un liquide de revêtement pour l’élaboration de film de protection pour traitement de semi-conducteur, comme un film sacrificiel CMP de forte résistance de film et de faible permittivité spécifique et un film de blocage d’attaque chimique, un procédé d’élaboration de celui-ci, et un film de protection pour traitement de semi-conducteur élaboré à partir du liquide de revêtement. Le liquide de revêtement pour l’élaboration d’un film de protection pour traitement de semi-conducteur est caractérisé en ce qu’il comprend (a) un composé de silicium élaboré par hydrolyse d’un tétraalkylorthosilicate (TAOS) et d’un alcoxysilane (AS) en présence d’hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAOH) et d’eau, ou bien un composé de silicium élaboré par hydrolyse totale ou partielle d’un tétraalkylorthosilicate (TAOS) en présence d’hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAOH) et d’eau, avant de mélanger le produit d’hydrolyse totale ou partielle avec un alcoxysilane (AS) ou un produit d’hydrolyse totale ou partielle de celui-ci et si nécessaire, poursuite de l’hydrolyse de tout ou partie du mélange, (b) un solvant organique, et (c) de l’eau, la teneur en eau de la composition liquide entrant dans la fourchette allant de 35 à 65% en poids.
(JA)  高い膜強度と低い比誘電率を有するCMP犠牲膜やエッチング・ストッパー膜等の半導体加工用保護膜を形成するための塗布液、その調整方法および該塗布液より得られる半導体加工用保護膜に関する。(a)テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)およびアルコキシシラン(AS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAOH)および水の存在下で加水分解して得られるケイ素化合物、またはテトラアルキルオルソシリケート(TAOS)をテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAOH)および水の存在下で加水分解または部分加水分解した後、アルコキシシラン(AS)またはその加水分解物もしくは部分加水分解物と混合し、さらに必要に応じてこれらの一部または全部を加水分解して得られるケイ素化合物、(b)有機溶媒、および(c)水を含む液状組成物であり、しかも該液状組成物中に含まれる水の量が35~65重量%の範囲にあることを特徴とする半導体加工用保護膜形成用塗布液。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020070084144EP1814150US20090061199