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1. (WO2006043418) アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/043418 国際出願番号: PCT/JP2005/018445
国際公開日: 27.04.2006 国際出願日: 05.10.2005
IPC:
C07C 215/08 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,C07F 15/02 (2006.01)
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
215
同じ炭素骨格に結合しているアミノ基と水酸基を含有する化合物
02
同じ炭素骨格の非環式炭素原子に結合している水酸基とアミノ基をもつもの
04
炭素骨格が飽和のもの
06
そして非環式のもの
08
炭素骨格に結合しているただ1個の水酸基と1個のアミノ基を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40
酸化物
C 化学;冶金
07
有機化学
F
炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
15
周期律表の第8族の元素を含有する化合物
02
鉄化合物
出願人:
ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP (AllExceptUS)
山田 直樹 YAMADA, Naoki [JP/JP]; JP (UsOnly)
桜井 淳 SAKURAI, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
山田 直樹 YAMADA, Naoki; JP
桜井 淳 SAKURAI, Atsushi; JP
代理人:
羽鳥 修 HATORI, Osamu; 〒1070052 東京都港区赤坂一丁目8番6号赤坂HKNビル6階 Tokyo Akasaka HKN BLDG. 6F 8-6, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
優先権情報:
2004-30677721.10.2004JP
2004-34351329.11.2004JP
発明の名称: (EN) ALKOXIDE COMPOUND, THIN FILM-FORMING MATERIAL AND METHOD FOR FORMING THIN FILM
(FR) COMPOSE ALCOXYDE, MATERIAU DE FORMATION DE FILM MINCE ET PROCEDE DE FORMATION DE FILM MINCE
(JA) アルコキシド化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
要約:
(EN) Disclosed is an alkoxide compound represented by the general formula (I) below. The alkoxide compound is an iron compound which can be transported in the liquid state and is easily vaporized due to its high vapor pressure. Such an alkoxide compound realizes thin film production with excellent composition controllability, and thus is suitable for production of a multicomponent thin film using a CVD method. (In the formula (I), R1 and R2 independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1-4 carbon atoms; R3 and R4 respectively represent an alkyl group having 1-4 carbon atoms; and A represents an alkanediyl group having 1-8 carbon atoms.)
(FR) Cette invention concerne un composé alcoxyde représenté par la formule (I) ci-dessous. Le composé alcoxyde est un composé de fer qui peut être transporté à l’état liquide et est facilement vaporisé grâce à sa tension de vapeur élevée. Un tel composé alcoxyde produit un film mince dont la composition peut être contrôlée de manière excellente, et est ainsi approprié pour la production d’un film mince à plusieurs composants en utilisant une méthode CVD (dépôt chimique en phase vapeur). (Dans la formule (I), R1 et R2 représentent indépendamment un atome d’hydrogène ou un groupe alkyle ayant de 1 à 4 atomes de carbone ; R3 et R4 représentent respectivement un groupe alkyle ayant de 1 à 4 atomes de carbone ; et A représente un groupe alcanediyle ayant de 1 à 8 atomes de carbone.)
(JA)  本発明のアルコキシド化合物は、下記一般式(I)で表されるものである。本発明のアルコキシド化合物は、液体の状態で輸送が可能で且つ蒸気圧が大きく気化させやすい鉄化合物であり、特に、組成制御性に優れた薄膜の製造を実現することができ、多成分薄膜をCVD法により製造する場合に好適である。(式中、R1 及びR2 は、各々独立して水素原子又は炭素原子数1~4のアルキル基を表し、R及びRは、炭素原子数1~4のアルキル基を表し、Aは、炭素原子数1~8のアルカンジイル基を表す。)                                          
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020070067214US20080085365CN101065349