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1. (WO2006043407) 非強磁性物質成形体の製造方法、及び非強磁性物質成形体
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請求の範囲

[1] 磁化率に異方性を有する非強磁性材料を含むスラリーに磁場を印加しながら成形 処理を施して成形体を形成する非強磁性物質成形体の製造方法であって、 前記非強磁性材料を主成分としたスラリーを作製するスラリー作製工程と、前記スラ リーに対し第 1の方向に磁場を印加し、磁場に対する結晶軸の磁化率が実質的に最 大である第 1の結晶軸に配向性を付与する第 1の配向性付与工程と、前記第 1の結 晶軸の配向性を維持した状態で前記第 1の方向に対し略垂直な第 2の方向に磁場 を印加し、前記第 1の結晶軸以外の結晶軸に配向性を付与する第 2の配向性付与 工程と、前記第 1及び第 2の配向性付与工程で付与された各結晶軸の配向性を固定 する配向性固定工程とを含むことを特徴とする非強磁性物質成形体の製造方法。

[2] 前記第 1の配向性付与工程と前記第 2の配向性付与工程とを連続的に行うことを特 徴とする請求項 1記載の非強磁性物質成形体の製造方法。

[3] 前記スラリー作製工程で作製されたスラリーの粘性率は、 30〜200mPa ' sであるこ とを特徴とする請求項 1又は請求項 2記載の非強磁性物質成形体の製造方法。

[4] 前記非強磁性材料は、ビスマス層状化合物を主成分とするセラミック材料であること を特徴とする請求項 1乃至請求項 3のいずれかに記載の非強磁性物質成形体の製 造方法。

[5] 磁化率に異方性を有する非強磁性材料を含むスラリーに、磁場を印加しながら成 形処理を施して得られる非強磁性物質成形体であって、磁場に対する結晶軸の磁 化率が実質的に最大である第 1の結晶軸以外の結晶軸に配向性が付与されている ことを特徴とする非強磁性物質成形体。

[6] 前記非強磁性材料は、ビスマス層状化合物を主成分とするセラミック材料であり、 前記第 1の結晶軸以外の結晶軸が c軸であることを特徴とする請求項 5記載の非強 磁性物質成形体。