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1. (WO2006043388) 半導体内蔵モジュール及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/043388 国際出願番号: PCT/JP2005/017282
国際公開日: 27.04.2006 国際出願日: 20.09.2005
IPC:
H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
065
装置がグループ27/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
一柳貴志 ICHIRYU, Takashi; null (UsOnly)
山下嘉久 YAMASHITA, Yoshihisa; null (UsOnly)
中谷誠一 NAKATANI, Seiichi; null (UsOnly)
発明者:
一柳貴志 ICHIRYU, Takashi; null
山下嘉久 YAMASHITA, Yoshihisa; null
中谷誠一 NAKATANI, Seiichi; null
代理人:
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 〒5306026 大阪府大阪市北区天満橋1丁目8番30号OAPタワー26階 Osaka 26th Floor, OAP TOWER 8-30, Tenmabashi 1-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5306026, JP
優先権情報:
2004-30723621.10.2004JP
発明の名称: (EN) MODULE WITH BUILT-IN SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE MODULE
(FR) MODULE AVEC SEMI-CONDUCTEUR INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU MODULE
(JA) 半導体内蔵モジュール及びその製造方法
要約:
(EN) A module with a built-in semiconductor and a method for manufacturing such module are provided so as to suppress yield deterioration due to cracks and breakage of a semiconductor element in a process of mounting the thin type semiconductor element on a wiring board. In the module with the built-in semiconductor, a semiconductor element (107) is provided on an interlayer connecting member (105) between a first wiring board (101) and a second wiring board (103), a rear plane side of the semiconductor element (107) is die-bonded on the first wiring board (101) by an adhesive (108), and the semiconductor element (107) is electrically connected with a second wiring pattern (104) by a protruding electrode (109).
(FR) L’invention concerne un module avec semi-conducteur intégré et un procédé de fabrication d’un tel module pour éviter toute baisse de rendement par fissurage et cassure d’un élément semi-conducteur dans un processus de montage du mince élément semi-conducteur sur une carte de connexion. Dans le module avec semi-conducteur intégré, un élément semi-conducteur (107) est disposé sur un élément de connexion intercouche (105) entre une première carte de connexion (101) et une seconde carte de connexion (103), un côté plan arrière de l’élément semi-conducteur (107) est collé par matriçage sur la première carte de connexion (101) par un adhésif (108), et l’élément semi-conducteur (107) est connecté électriquement à un second motif de connexion (104) par une électrode saillante (109).
(JA)  薄型の半導体素子を配線基板に実装する工程において、半導体素子の割れや破損等による歩留まり低下を抑制できる半導体内蔵モジュール及びその製造方法を提供する。  第1配線基板(101)と第2配線基板(103)との間の層間接続部材(105)に半導体素子(107)が内蔵され、第1配線基板(101)上に半導体素子(107)の裏面側が接着剤(108)によりダイボンディングされ、半導体素子(107)と第2配線パターン(104)とが突起電極(109)により電気的に接続されている半導体内蔵モジュールとする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2006043388US20070262470