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1. (WO2006043329) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/043329 国際出願番号: PCT/JP2004/015732
国際公開日: 27.04.2006 国際出願日: 22.10.2004
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,B82B 3/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
B
個別の原子,分子,または限られた数の原子または分子の集合を区別された単位として操作しながら形成されたナノ構造;その製造または処理
3
個別の原子,分子,または,限られた数の原子または分子の集合を区別された単位としての操作によるナノ構造の製造または処理
出願人:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 Kanagawa 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
置田 陽一 OKITA, Yoichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
置田 陽一 OKITA, Yoichi; JP
代理人:
國分 孝悦 KOKUBUN, Takayoshi; 〒1700013 東京都豊島区東池袋1丁目17番8号 池袋TGホーメストビル5階 Tokyo 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約:
(EN) A plurality of origin patterns (3) containing metal catalyst are formed on the upper part of a semiconductor substrate (1). An insulating film (4) is formed to cover the origin patterns (3). A groove from which the side surfaces of the origin patterns (3) are exposed at both edges is formed on the insulating film (4). Then, carbon nano tube (5) provided with conductive chirality is grown in the groove and wiring is formed. Then, an interlayer insulating film is formed so as to cover the carbon nano tube.
(FR) L'invention se rapporte à une pluralité de motifs d'origine (3) contenant un catalyseur métallique qui sont formés sur la partie supérieure d'un substrat semi-conducteur. Un film isolant (4) est formé afin de recouvrir les motifs d'origine (3). Une rainure, à partir de laquelle les surfaces latérales des motifs d'origine (3) sont exposées sur les deux bords, est formée sur le film isolant (4). Ensuite, un nanotube de carbone (5), présentant une chiralité conductrice, est mis à croître dans la rainure et un câblage est formé. Un film isolant entre couches est ensuite formé de façon à couvrir le nanotube de carbone.
(JA)  半導体基板(1)の上方に触媒金属を含有する複数の起点パターン(3)を形成する。次に、起点パターン(3)を覆う絶縁膜(4)を形成する。次いで、絶縁膜(4)に、両端から起点パターン(3)の側面が露出する溝を形成する。その後、溝内に導電性のカイラリティを具えたカーボンナノチューブ(5)を成長させることにより、配線を形成する。その後、カーボンナノチューブ(5)を覆う層間絶縁膜を形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020070065356US20070205450CN101044605JP5045103