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1. (WO2006041153) 導電性パターンおよび電子デバイスの製造方法、ならびに電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/041153 国際出願番号: PCT/JP2005/018942
国際公開日: 20.04.2006 国際出願日: 14.10.2005
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,C23F 1/02 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
02
部分的エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
出願人:
松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
中川徹 NAKAGAWA, Tohru; null (UsOnly)
発明者:
中川徹 NAKAGAWA, Tohru; null
代理人:
鎌田耕一 KAMADA, Koichi; 〒5300047 大阪府大阪市北区西天満4丁目3番1号トモエマリオンビル7階 Osaka 7th Fl., Tomoe Marion Bldg. 4-3-1, Nishitenma, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300047, JP
優先権情報:
2004-30114615.10.2004JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROCONDUCTIVE PATTERN AND ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MOTIF ÉLECTROCONDUCTEUR ET DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 導電性パターンおよび電子デバイスの製造方法、ならびに電子デバイス
要約:
(EN) A method for manufacturing an electroconductive pattern which comprises a step of arranging a solution (12) containing at least one molecule selected from the group consisting of the molecules represented by the following [formula 1] and the molecules represented by the following [formula 2] dissolved therein on an electroconductive film (13), to thereby form a molecular film (16) of the above at least one molecule on a part of the electroconductive film (13), [formula 1]: CF3(CF2)n(CH2)mSH [wherein n is a natural number in the range of 3 to 7, and m is a natural number in the range of 8 to 18] and [formula 2]: CF3(CF2)p(CH2)qSS(CH2)q’(CF2)p’CF3 [wherein p and p’ are independently a natural number in the range of 3 to 7, and q and q’ are independently a natural number in the range of 8 to 18], and a step of contacting the electroconductive film (13) with an etching solution for the electroconductive film (13), to thereby remove the part of the electroconductive film (13) where the molecular film (16) is not formed, and form an electroconductive pattern (17).
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication d’un motif électroconducteur comprenant une phase consistant à appliquer une solution (12) contenant au moins une molécule sélectionnée parmi le groupe englobant les molécules représentées par la [formule 1] suivante et les molécules représentées par la [formule 2] suivante dissoute dans celle-ci, sur un film électroconducteur (13), pour ainsi constituer un film moléculaire (16) composé de l’au moins une molécule ci-dessus sur une partie du film électroconducteur (13), [formule 1]: CF3(CF2)n(CH2)mSH [où n est un nombre naturel entrant dans la fourchette de 3 à 7, et m est un nombre naturel dans la fourchette de 8 à 18] et [formule 2]: CF3(CF2)p(CH2)qSS(CH2)q’(CF2)p’CF3 [où p et p’ sont indépendamment un nombre naturel dans la fourchette de 3 to 7, et q et q’ sont indépendamment un nombre naturel dans la fourchette de 8 à 18], et une phase de mise en contact du film électroconducteur (13) avec une solution d’attaque chimique pour le film électroconducteur (13), pour ainsi retirer la partie du film électroconducteur (13) ne comportant pas le film moléculaire (16), et constituer un motif électroconducteur (17).
(JA)  本発明の製造方法は、以下の[式1]で表される分子および以下の[式2]で表される分子からなる群から選ばれる少なくとも1種の分子が溶解している溶液12を導電膜13上に配置することによって、導電膜13の一部に上記少なくとも1種の分子の分子膜16を形成する工程を含む。[式1]CF3(CF2n(CH2mSH[nは、3~7の範囲にある自然数である。mは、8~18の範囲にある自然数である。]。[式2]CF3(CF2p(CH2qSS(CH2q'(CF2p'CF3[pおよびp’は、それぞれ独立に、3~7の範囲にある自然数である。qおよびq’は、それぞれ独立に、8~18の範囲にある自然数である。]。次に、導電膜13を導電膜13のエッチング液に接触させることによって、分子膜16が形成されていない部分の導電膜13を除去する。このようにして、導電性パターン17が形成される。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020070085088JPWO2006041153US20070196577JP4611316CN1957449