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1. (WO2006040956) 金属酸化物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/040956 国際出願番号: PCT/JP2005/018294
国際公開日: 20.04.2006 国際出願日: 03.10.2005
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,C08G 79/00 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
79
高分子の主鎖に,けい素,いおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずに,けい素,いおう,窒素,酸素および炭素以外の原子を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
日産化学工業株式会社 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒1010054 東京都千代田区神田錦町3丁目7番地1 Tokyo 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010054, JP (AllExceptUS)
竹井 敏 TAKEI, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
境田 康志 SAKAIDA, Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
橋本 圭祐 HASHIMOTO, Keisuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
竹井 敏 TAKEI, Satoshi; JP
境田 康志 SAKAIDA, Yasushi; JP
橋本 圭祐 HASHIMOTO, Keisuke; JP
代理人:
萼 経夫 HANABUSA, Tsuneo; 〒1010062 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ 萼特許事務所内 Tokyo c/o Hanabusa Patent Office Shin-Ochanomizu Urban Trinity 2, Kandasurugadai 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
優先権情報:
2004-29971614.10.2004JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING BOTTOM COATING FOR LITHOGRAPHY CONTAINING METAL OXIDE
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE REVÊTEMENT INFÉRIEUR POUR LITHOGRAPHIE CONTENANT DE L’OXYDE DE MÉTAL
(JA) 金属酸化物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物
要約:
(EN) [PROBLEMS] To provide a bottom coating having a high content of an inorganic substance (hard mask) which is used in a lithography process for manufacturing a semiconductor device, is free from the intermixing with a photoresist and can be formed by the spin coating method, and a bottom coating forming composition for forming said bottom coating. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A composition for forming a bottom coating for lithography which comprises a metal oxide obtainable through the hydrolysis reaction of an oxymetal compound such as zirconium alkoxide, and a solvent.
(FR) L’invention concerne un revêtement inférieur de forte teneur en substance inorganique (masque dur) qui est utilisé dans un procédé de lithographie pour fabriquer un dispositif semi-conducteur, exempt de tout mélange avec un photorésist et susceptible d’être formé par un procédé de revêtement centrifuge, et une composition de formation de revêtement inférieur pour constituer ledit revêtement inférieur. L’invention concerne donc une composition de formation de revêtement inférieur pour lithographie contenant de l’oxyde de métal que l’on peut obtenir par réaction d’hydrolyse d’un composé d’oxymétal comme un alcoxyde de zirconium et d'un solvant.
(JA) 【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、スピンコート法によって形成することができる、無機物質を多く含む下層膜(ハードマスク)、及び該下層膜を形成するための下層膜形成組成物を提供すること。 【解決手段】ジルコニウムアルコキシド等のオキシ金属化合物の加水分解反応によって得ることができる金属酸化物、及び溶剤を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP4793583