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1. (WO2006040918) 含窒素芳香環構造を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/040918 国際出願番号: PCT/JP2005/017613
国際公開日: 20.04.2006 国際出願日: 26.09.2005
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
日産化学工業株式会社 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒1010054 東京都千代田区神田錦町3丁目7番地1 Tokyo 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054, JP (AllExceptUS)
榎本 智之 ENOMOTO, Tomoyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
広井 佳臣 HIROI, Yoshiomi [JP/JP]; JP (UsOnly)
中山 圭介 NAKAYAMA, Keisuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
榎本 智之 ENOMOTO, Tomoyuki; JP
広井 佳臣 HIROI, Yoshiomi; JP
中山 圭介 NAKAYAMA, Keisuke; JP
代理人:
萼 経夫 HANABUSA, Tsuneo; 〒1010062 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ 萼特許事務所内 Tokyo c/o Hanabusa Patent Office Shin-Ochanomizu Urban Trinity 2, Kandasurugadai 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010062, JP
優先権情報:
2004-29764112.10.2004JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING OF LITHOGRAPHIC ANTIREFLECTION FILM, CONTAINING NITROGENOUS AROMATIC RING STRUCTURE
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM ANTIREFLET LITHOGRAPHIQUE, CONTENANT UNE STRUCTURE ANNULAIRE AROMATIQUE AZOTÉE
(JA) 含窒素芳香環構造を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物
要約:
(EN) An antireflection film that exhibits a high antireflection effect, being free from any intermixing with photoresist, and that has a dry etching rate greater than that of photoresist, being available in a lithographic process for production of semiconductor devices; and a composition for forming of such an antireflection film. There is provided a composition for forming of lithographic antireflection film, comprising a reaction product, a crosslinking compound, a crosslinking catalyst and a solvent, wherein the reaction product is obtained by polyaddition reaction between an epoxy compound having two glycidyl groups and a nitrogenous aromatic compound having two thiol or hydroxyl groups.
(FR) L’invention concerne un film antireflet présentant un effet antireflet élevé, exempt de tout mélange avec un photorésist, et dont la vitesse d’attaque chimique à sec est supérieure à celle du photorésist, étant disponible dans un processus lithographique pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs; et une composition pour élaborer un tel film antireflet. L’invention concerne une composition de formation de film antireflet lithographique, comprenant un produit de réaction, un composé de réticulation, un catalyseur de réticulation et un solvant, où le produit de réaction s’obtient par une réaction de polyaddition entre un composé époxy ayant deux groupes glycidyle et un composé aromatique azoté ayant deux groupes thiol ou hydroxyle.
(JA) not available
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JP4697464