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1. (WO2006038584) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
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請求の範囲

[1] 複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、

前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入'搬出するためのボートと、 該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を 検出する基板検出センサと、

前記複数の基板の基準位置、および前記複数の基板の基準位置に対する位置ず れ許容範囲を登録する制御部とを備え、

前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入 力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ず れ許容範囲を超えて!/、た場合は、前記複数の基板の位置情報の平均値と最大値と を比較すると共に、前記複数の基板の位置情報の平均値と最小値とを比較し、前記 それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれの許容範囲内であれば、ボ ート停止位置のずれと判断する半導体製造装置。

[2] 前記制御部は、前記それぞれの比較により求められた差が前記基板のずれの許容 範囲内であれば、ボート停止位置のずれを示す障害信号を出力する請求項 1の半 導体製造装置。

[3] 前記制御部は、予め設定された前記複数の基板の全枚数に対する所定割合枚数 分の前記基板の位置情報の平均値と最大値とを比較すると共に、予め設定された前 記複数の基板の全枚数に対する所定割合枚数分の前記基板の位置情報の平均値 と最小値とを比較する請求項 2の半導体製造装置。

[4] 前記制御部は、予め設定された所定枚数分を前記基板の位置情報の平均値と最 大値とを比較すると共に、予め設定された所定枚数分を前記基板の位置情報の平 均値と最小値とを比較する請求項 2の半導体製造装置。

[5] 前記制御部は、前記複数の基板に対する全ての前記基板の位置情報の平均値と 最大値とを比較すると共に、前記複数の基板に対する全ての基板の位置情報の平 均値と最小値とを比較する請求項 2の半導体製造装置。

[6] 複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、

前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入'搬出するためのボートと、 該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を 検出する基板検出センサと、

前記複数の基板の基準位置、および前記複数の基板の基準位置に対する位置ず れ許容範囲を登録する制御部とを備え、

前記制御部は、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入 力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ず れ許容範囲を超えていた場合は、前記基板位置が漸次変化しているカゝ確認し、前記 基板位置が漸次変化して、ることを検出すれば、ボート変形であると判断する半導体 製造装置。

[7] 請求項 1の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、 前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入 力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ず れ許容範囲を超えて!/、なカゝつた場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基 板と次回に処理する複数の基板とを交換し、

前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前 記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施す半導体装 置の製造方法。

[8] 請求項 6の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、 前記制御部が、前記基板検出センサの測定した前記複数の基板の位置情報を入 力し、前記複数の基板の位置情報が前記複数の基板の基準位置に対し前記位置ず れ許容範囲を超えて!/、なカゝつた場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基 板と次回に処理する複数の基板とを交換し、

前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前 記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施す半導体装 置の製造方法。

[9] 前記制御部は、前記基板位置が漸次変化して、る力確認し、前記基板位置が漸 次変化していることを検出すれば、ボート変形であることを示す障害信号を出力する 請求項 6の半導体製造装置。

[10] 複数の基板に所定の加熱処理を施す処理炉と、

前記複数の基板を積層配置して前記処理炉へ搬入'搬出するためのボートと、 該ボートに積層配置される前記複数の基板に対して相対位置を変化させて基板を 検出する基板検出センサと、

前記処理炉で前記複数の基板が加熱処理されると、前記ボートが前記処理炉から 搬出されてから、又は前記ボートが前記処理炉から搬出される際に、前記基板検出 センサにより前記複数の基板の位置を測定し、この測定値と登録されている前記複 数の基準位置とを比較し、
、る場合 は前記基板の位置が異常であると判断する制御部とを具備する半導体製造装置。

[11] 前記制御部は、前記基板の位置が異常であると判断した場合には、障害信号を出 力する請求項 10の半導体製造装置。

[12] 請求項 10の半導体製造装置を用いて処理する半導体装置の製造方法において、 前記制御部が、前記基板検出センサにより前記複数の基板の位置を測定し、この 測定値と登録されて、る前記複数の基準位置とを比較し、前記複数の基板の位置ず れ許容範囲を超えて!/、なカゝつた場合は、前記ボートに積層配置された前記複数の基 板と次回に処理する複数の基板とを交換し、

前記処理炉に前記次回に処理する複数の基板を積層配置したボートを搬入し、前 記処理炉にて前記次回に処理する複数の基板に所定の加熱処理を施す半導体装 置の製造方法。