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1. (WO2006038531) 半導体装置及びデルタシグマ変調器、並びにそれらの抵抗値調整方法
注意: このテキストは、OCR 処理によってテキスト化されたものです。法的な用途には PDF 版をご利用ください。

請求の範囲

[1] 出力バイアス電流を供給するよう基準電圧が供給された電圧電流変換回路と、前 記出力バイアス電流を決定するよう前記電圧電流変換回路に接続される内蔵抵抗と を搭載する半導体装置において、

前記電圧電流変換回路と、該半導体装置の外部端子に外付け接続された所定の 抵抗値を有する基準抵抗とが第 1のスィッチを介して接続され、

前記内蔵抵抗は複数個に分割形成され、

複数個の第 2のスィッチが該分割形成された各内蔵抵抗にそれぞれ対応して設け られ、

前記第 1のスィッチの制御を行うことにより、前記基準抵抗と前記電圧電流変換回 路との接続が制御され、

前記第 2のスィッチの制御を行うことにより、前記各内蔵抵抗の接続状態が制御さ れ、

該制御された各内蔵抵抗の接続状態を記憶し、該記憶した接続状態に基づ!ヽて、 前記各内蔵抵抗の接続状態を再現する、

ことを特徴とする半導体装置。

[2] 請求項 1に記載の半導体装置において、

前記各内蔵抵抗の接続状態の記憶は、前記第 2のスィッチを制御するための設定 値を保持する設定保持部を用いて行ヽ、

前記各内蔵抵抗の接続状態の再現は、前記設定保持部に保持された前記設定値 に基づいて前記第 2のスィッチを制御することにより行う、

ことを特徴とする半導体装置。

[3] 請求項 1に記載の半導体装置において、

前記各内蔵抵抗の接続状態の記憶は、前記第 2のスィッチを制御するための設定 値を保持する設定保持部と、前記設定値を 1つまたは複数記憶する設定記憶部とを 用いて行い、

前記各内蔵抵抗の接続状態の再現は、前記設定記憶部から所要の設定値を前記 設定保持部に読み出し、前記設定保持部に保持された設定値に基づいて前記第 2 のスィッチを制御することにより行う、

ことを特徴とする半導体装置。

[4] 請求項 1に記載の半導体装置において、

前記各内蔵抵抗の接続状態の記憶は、前記各内蔵抵抗のそれぞれに対応して設 けられた複数個のヒューズのうち、任意のヒューズを切断することにより行い、 前記各内蔵抵抗の接続状態の再現は、前記複数個のヒューズのうち、切断されて Vヽな、ヒューズを用いることにより行う、

ことを特徴とする半導体装置。

[5] 出力バイアス電流を供給するよう基準電圧が供給された電圧電流変換回路と、前 記出力バイアス電流を決定するよう前記電圧電流変換回路に接続される複数個に分 割形成された内蔵抵抗とを搭載する半導体装置の内蔵抵抗の抵抗値を調整する半 導体装置の抵抗値調整方法であって、

前記電圧電流変換回路と、該半導体装置の外部端子に外付け接続された所定の 抵抗値を有する基準抵抗とを第 1のスィッチを介して電気的に接続する基準抵抗接 続ステップと、

前記電圧電流変換回路と前記基準抵抗とが電気的に接続した状態で消費電流を 測定する電流測定ステップと、

前記電流測定ステップで測定した消費電流に基づヽて、前記分割形成された各内 蔵抵抗の接続状態の制御を、第 2のスィッチを制御することにより行う抵抗制御ステツ プと、

前記抵抗制御ステップにより制御した各内蔵抵抗の接続状態を記憶する記憶ステ ップと、

該記憶した接続状態に基づ!/ヽて、前記各内蔵抵抗の接続状態を再現する再現ス テツプとを含む、

ことを特徴とする半導体装置の抵抗値調整方法。

[6] 請求項 5に記載の半導体装置の抵抗値調整方法にお、て、

前記記憶ステップは、前記第 2のスィッチを制御するための設定値を保持する設定 保持部を用いて行い、

前記再現ステップは、前記設定保持部に保持された前記設定値に基づいて前記 第 2のスィッチを制御することにより行う、

ことを特徴とする半導体装置の抵抗値調整方法。

[7] 請求項 5に記載の半導体装置の抵抗値調整方法において、

前記記憶ステップは、前記第 2のスィッチを制御するための設定値を保持する設定 保持部と、前記設定値を 1つまたは複数記憶する設定記憶部とを用いて行、、 前記再現ステップは、前記設定記憶部から所要の設定値を前記設定保持部に読 出し、前記設定保持部に保持された設定値に基づいて前記第 2のスィッチを制御す ることにより行う、

ことを特徴とする半導体装置の抵抗値調整方法。

[8] 請求項 5に記載の半導体装置の抵抗値調整方法にお、て、

前記記憶ステップは、前記各内蔵抵抗のそれぞれに対応して設けられた複数個の ヒューズのうち、任意のヒューズを切断することにより行い、

前記再現ステップは、前記複数個のヒューズのうち、切断されていないヒューズを用 、ることにより行う、

ことを特徴とする半導体装置の抵抗値調整方法。

[9] 積分器用のオペアンプと、前記オペアンプのバイアス電流を供給するよう基準電圧 が供給された電圧電流変換回路と、前記バイアス電流を決定するよう前記電圧電流 変換回路に接続された内蔵抵抗とを備えるデルタシグマ変調器において、

前記電圧電流変換回路と、該デルタシグマ変調器の外部端子に外付け接続され た所定の抵抗値を有する基準抵抗とが第 1のスィッチを介して接続され、

前記内蔵抵抗は複数個に分割形成され、

複数個の第 2のスィッチが該分割形成された各内蔵抵抗にそれぞれ対応して設け られ、

前記第 1のスィッチの制御を行うことにより、前記基準抵抗と前記電圧電流変換回 路との接続が制御され、

前記第 2のスィッチの制御を行うことにより、前記各内蔵抵抗の接続状態が制御さ れ、

該制御された各内蔵抵抗の接続状態を記憶し、該記憶した接続状態に基づ!ヽて、 前記各内蔵抵抗の接続状態を再現する、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器。

[10] 請求項 9に記載のデルタシグマ変調器にぉ、て、

前記各内蔵抵抗の接続状態の記憶は、前記第 2のスィッチを制御するための設定 値を保持する設定保持部を用いて行ヽ、

前記各内蔵抵抗の接続状態の再現は、前記設定保持部に保持された前記設定値 に基づいて前記第 2のスィッチを制御することにより行う、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器。

[11] 請求項 9に記載のデルタシグマ変調器において、

前記各内蔵抵抗の接続状態の記憶は、前記第 2のスィッチを制御するための設定 値を保持する設定保持部と、前記設定値を 1つまたは複数記憶する設定記憶部とを 用いて行い、

前記各内蔵抵抗の接続状態の再現は、前記設定記憶部から所要の設定値を前記 設定保持部に読み出し、前記設定保持部に保持された設定値に基づいて前記第 2 のスィッチを制御することにより行う、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器。

[12] 請求項 11に記載のデルタシグマ変調器にぉ、て、

前記設定記憶部は、当該デルタシグマ変調器の複数の異なる動作周波数のそれ ぞれに対応する複数の設定値を記憶するものである、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器。

[13] 請求項 9に記載のデルタシグマ変調器にぉ、て、

前記各内蔵抵抗の接続状態の記憶は、前記各内蔵抵抗のそれぞれに対応して設 けられた複数個のヒューズのうち、任意のヒューズを切断することにより行い、 前記各内蔵抵抗の接続状態の再現は、前記複数個のヒューズのうち、切断されて Vヽな、ヒューズを用いることにより行う、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器。

[14] 積分器用のオペアンプと、前記オペアンプのバイアス電流を供給するよう基準電圧 が供給された電圧電流変換回路と、前記バイアス電流を決定するよう前記電圧電流 変換回路に接続される複数個に分割形成された内蔵抵抗とを備えるデルタシグマ変 調器の内蔵抵抗の抵抗値を調整する抵抗値調整方法であって、

前記電圧電流変換回路と、該デルタシグマ変調器の外部端子に外付け接続され た所定の抵抗値を有する基準抵抗とを第 1のスィッチを介して電気的に接続する基 準抵抗接続ステップと、

前記電圧電流変換回路と前記基準抵抗とが電気的に接続した状態で消費電流を 測定する電流測定ステップと、

前記電流測定ステップで測定した消費電流に基づヽて、前記分割形成された各内 蔵抵抗の接続状態の制御を、第 2のスィッチを制御することにより行う抵抗制御ステツ プと、

前記抵抗制御ステップにより制御した各内蔵抵抗の接続状態を記憶する記憶ステ ップと、

該記憶した接続状態に基づ!/ヽて、前記各内蔵抵抗の接続状態を再現する再現ス テツプとを含む、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器の抵抗値調整方法。

[15] 請求項 14に記載のデルタシグマ変調器の抵抗値調整方法にぉ、て、

前記記憶ステップは、前記第 2のスィッチを制御するための設定値を保持する設定 保持部を用いて行い、

前記再現ステップは、前記設定保持部に保持された前記設定値に基づいて前記 第 2のスィッチを制御することにより行う、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器の抵抗値調整方法。

[16] 請求項 14に記載のデルタシグマ変調器の抵抗値調整方法にぉ、て、

前記記憶ステップは、前記第 2のスィッチを制御するための設定値を保持する設定 保持部と、前記設定値を 1つまたは複数記憶する設定記憶部とを用いて行、、 前記再現ステップは、前記設定記憶部から所要の設定値を前記設定保持部に読 出し、前記設定保持部に保持された設定値に基づいて前記第 2のスィッチを制御す ることにより行う、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器の抵抗値調整方法。

[17] 請求項 16に記載のデルタシグマ変調器の抵抗値調整方法にぉ、て、

前記基準抵抗接続ステップは、当該デルタシグマ変調器の複数の異なる動作周波 数に対応するそれぞれの基準抵抗を、該デルタシグマ変調器の外部端子に順次外 部接続し、

前記電流測定ステップ、及び抵抗制御ステップは、前記複数の動作周波数分繰り 返し行い、

前記記憶ステップは、前記複数の動作周波数それぞれの設定値を前記設定記憶 部に順次記憶し、

前記再現ステップは、前記複数の動作周波数のうち、所要の動作周波数に対応し た設定値を前記設定記憶部から前記設定保持部に読み出し、前記設定保持部に保 持した設定値に基づいて前記第 2のスィッチを制御することにより行う、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器の抵抗値調整方法。

[18] 請求項 14に記載のデルタシグマ変調器の抵抗値調整方法にぉ、て、

前記記憶ステップは、前記各内蔵抵抗のそれぞれに対応して設けられた複数個の ヒューズのうち、任意のヒューズを切断することにより行い、

前記再現ステップは、前記複数個のヒューズのうち、切断されていないヒューズを用 、ることにより行う、

ことを特徴とするデルタシグマ変調器の抵抗値調整方法。