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1. (WO2006038406) 高純度ZrB2粉末及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/038406 国際出願番号: PCT/JP2005/016214
国際公開日: 13.04.2006 国際出願日: 05.09.2005
予備審査請求日: 24.11.2005
IPC:
C01B 35/04 (2006.01) ,C30B 29/10 (2006.01)
C 化学;冶金
01
無機化学
B
非金属元素;その化合物
35
ほう素;その化合物
02
ほう素;ほう化物
04
金属のほう化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
出願人:
NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP (AllExceptUS)
新藤 裕一朗 SHINDO, Yuichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
竹本 幸一 TAKEMOTO, Kouichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
新藤 裕一朗 SHINDO, Yuichiro; JP
竹本 幸一 TAKEMOTO, Kouichi; JP
代理人:
小越 勇 OGOSHI, Isamu; 〒1050002 東京都港区愛宕一丁目2番2号 虎ノ門9森ビル3階 小越国際特許事務所 Tokyo OGOSHI International Patent Office Toranomon 9 Mori Bldg. 3F 2-2, Atago 1-Chome Minato-ku, Tokyo 1050002, JP
優先権情報:
2004-29487307.10.2004JP
発明の名称: (EN) HIGH PURITY ZrB2 POWDER AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) POUDRE ZrB2 DE GRANDE PURETE ET PROCEDE DE FABRICATION IDOINE
(JA) 高純度ZrB2粉末及びその製造方法
要約:
(EN) A high purity ZrB2 powder which has a purity of 99.9 wt % or more, the purity being exclusive of C and impurities in a gaseous form; and a method for producing the high purity ZrB2 powder, which comprises a step of subjecting a raw material of a Zr sponge to an electron beam melting and a casting to prepare an ingot having a purity of 99.9 wt % or higher, a step of cutting the ingot into a cut powder and then hydrogenating the cut powder into ZrH2, a step of pulverizing the product, dehydrogenating into a Zr powder and oxidizing the Zr powder at a high temperature in an oxygen atmosphere into a fine powder of ZrO2, a step of admixing the fine powder of ZrO2 with B having a purity of 99.9 wt % or higher, to thereby reduce ZrO2 and prepare a ZrB2 powder having a purity of 99.9 % or higher. The above high purity ZrB2 powder is a high purity ZrB2 powder for use in sintering having a purity of 99.9 wt % or higher, which is required for the manufacture of a ZrB2 single crystal substrate by the high-frequency induction heating FZ method (floating zone melting method) and which allows the production of a ZrB2 single crystal substrate having a large size and also the lowering of production cost associated therewith.
(FR) L’invention concerne une poudre de ZrB2 de grande pureté, supérieure ou égale à 99,9 % en poids, la pureté étant exclusive de C et des impuretés sous forme gazeuse ; et un procédé de fabrication de la poudre de ZrB2 de grande pureté, comprenant une phase consistant à soumettre une matière première d’une éponge de Zr à une fusion par faisceau électronique et un coulage pour élaborer un lingot de pureté supérieure ou égale à 99,9 % en poids, une phase de découpe du lingot en poudre, puis d’hydrogénation de la poudre en ZrH2, une phase de pulvérisation du produit, de déshydrogénation en poudre de Zr et d’oxydation de la poudre de Zr à haute température dans une atmosphère d’oxygène en fine poudre de ZrO2, une phase de mélange de la fine poudre de ZrO2 avec B de pureté supérieure ou égale à 99,9 % en poids pour ainsi réduire le ZrO2 et élaborer une poudre de ZrB2 de pureté supérieure ou égale à 99,9 % en poids. La poudre de ZrB2 de grande pureté ci-dessus est une poudre de ZrB2 de grande pureté pour utilisation dans le frittage de pureté supérieure ou égale à 99,9 % en poids, ce qui est requis pour la fabrication d'un substrat cristallin simple de ZrB2 par un procédé FZ de chauffage à induction haute fréquence (procédé de fusion de zone flottante) et qui permet la fabrication d’un substrat cristallin simple de ZrB2 de grande taille et une baisse des coûts de fabrication associés.
(JA)  C及びガス成分の不純物を除き、純度が99.9wt%以上である高純度ZrB粉末、及びZrスポンジの原料を電子ビーム溶解・鋳造して、99.9wt%以上の純度であるインゴットを製造する工程、次にこれを切削により切粉とした後、この切粉を水素化してZrHとする工程、これを微粉砕した後、脱水素化してZr粉末とし、さらにこのZr粉末を高温・酸素雰囲気中で酸化させてZrOの微粉とする工程、このZrO微粉に99.9wt%以上の純度を有するBを混合し、ZrOを還元して、純度が99.9wt%以上であるZrB粉末を得る工程からなる高純度ZrB粉末の製造方法。高周波誘導加熱FZ法(浮遊帯域溶融法)によるZrB単結晶基板の製造の際に必要とされる、焼結用ZrB粉末の純度を99.9wt%以上とし、これによってZrB単結晶基板の大型化及びそれに伴う製造コストの低減化が可能となる高純度ZrB粉末及びその製造方法を得る。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2006038406JP2011088819US20080075648JP4685023JP2013216574