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1. (WO2006038390) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/038390 国際出願番号: PCT/JP2005/015405
国際公開日: 13.04.2006 国際出願日: 25.08.2005
IPC:
H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
40
電極
43
構成材料に特徴のあるもの
47
ショットキー障壁電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
86
整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861
ダイオード
872
ショットキーダイオード
出願人:
サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 〒3528666 埼玉県新座市北野3丁目6番3号 Saitama 3-6-3, Kitano, Niiza-shi, Saitama 3528666, JP (AllExceptUS)
大塚 康二 OTSUKA, Koji [JP/JP]; JP (UsOnly)
岩上 信一 IWAKAMI, Shinichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
大塚 康二 OTSUKA, Koji; JP
岩上 信一 IWAKAMI, Shinichi; JP
代理人:
志賀 正武 SHIGA, Masatake; 〒1048453 東京都中央区八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453, JP
優先権情報:
2004-28924830.09.2004JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) A two-dimensional carrier (102) is generated in the vicinity of an interface (101) which is a heterointerface between a semiconductor layer (13) and another semiconductor layer (14). A recessed portion (31) and another recessed portion (32) are formed from the major surface (100) to the interface (101). An electrode (15) composed of a metal which forms a Schottky junction with the semiconductor layers (13) and (14) is formed on the bottom surface (31a) and the lateral surface (31b) of the recessed portion (31). An electrode (16) composed of a metal which forms a low-resistance contact with the semiconductor layers (13) and (14) is formed on the bottom surface (32a) and the lateral surface (32b) of the recessed portion (32). Consequently, there can be obtained a semiconductor device having improved high-frequency characteristics wherein the contact resistance between an electrode and a semiconductor layer is reduced.
(FR) La présente invention décrit un porteur bidimensionnel (102) généré à proximité d’une interface (101) qui est une interface hétérogène entre une couche à semi-conducteur (13) et une autre couche à semi-conducteur (14). Une partie encastrée (31) et une autre partie encastrée (32) sont formées de la surface principale (100) vers l’interface (101). Une électrode (15) composée d’un métal qui forme une jonction de Schottky avec les couches à semi-conducteur (13) et (14) est formée sur la surface inférieure (31a) et la surface latérale (31b) de la partie encastrée (31). Une électrode (16) composée d’un métal qui forme un contact de faible résistance avec les couches à semi-conducteur (13) et (14) est formée sur la surface inférieure (32a) et la surface latérale (32b) de la partie encastrée (32). En conséquence, il est possible d'obtenir un dispositif à semi-conducteur ayant des caractéristiques haute fréquence améliorées où la résistance de contact entre une électrode et une couche à semi-conducteur est diminuée.
(JA)  ヘテロ界面である半導体層13と半導体層14との界面101の近傍には、2次元キャリア102が発生している。主面100から界面101まで到達するように凹部31および凹部32が形成されている。凹部31の底面31aおよび側面31b上には、半導体層13および14とショットキー接合を形成する金属からなる電極15が形成されている。凹部32の底面32aおよび側面32b上には、半導体層13および14と低抵抗接触を形成すると共に低抵抗接触する金属からなる電極16が形成されている。これにより、電極と半導体層との接触抵抗を低減すると共に、高周波特性を向上した半導体装置を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2006038390US20070051938JP4389935