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1. (WO2006038257) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/038257 国際出願番号: PCT/JP2004/014352
国際公開日: 13.04.2006 国際出願日: 30.09.2004
予備審査請求日: 30.09.2004
IPC:
G01R 31/26 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31
電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
26
個々の半導体装置の試験
出願人:
株式会社ルネサステクノロジ RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 〒1006334 東京都千代田区丸の内二丁目4番1号 Tokyo 4-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1006334, JP (AllExceptUS)
和田 雄二 WADA, Yuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
槇平 尚宏 MAKIHIRA, Naohiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
赤岩 正康 AKAIWA, Masayasu [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
和田 雄二 WADA, Yuji; JP
槇平 尚宏 MAKIHIRA, Naohiro; JP
赤岩 正康 AKAIWA, Masayasu; JP
代理人:
筒井 大和 TSUTSUI, Yamato; 〒1600023 東京都新宿区西新宿8丁目1番1号 アゼリアビル3階 筒井国際特許事務所 Tokyo Tsutsui & Associates 3F, Azeria Bldg. 1-1, Nishi-shinjuku 8-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) On a major surface (bump electrode forming surface) of a chip, a plurality of measuring points are set in a region wherein no bump electrode (11) is formed. The heights at a plurality of the measuring points are obtained, regression calculation is performed by least square method, based on the height information, and a least square plane SS is set. Then, for each of a plurality of the bump electrodes (11), heights (h21), (h22), (h23), etc. from the least square plane (SS) are obtained, and based on the heights (h21), (h22), (h23), etc., whether the heights of a plurality of the bump electrodes (11) are within a reference value or not is judged and whether flatness of a plurality of the bump electrodes (11) are within a reference value or not is judged.
(FR) Sur une surface principale (électrode de contact formant une surface) d’une puce, une pluralité de points de mesure est définie dans une région où aucune électrode de contact (11) n’est formée. Les hauteurs au niveau de la pluralité des points de mesure sont obtenues, un calcul de régression est effectué par la méthode des moindres carrés, sur la base des informations de hauteur, et un plan de moindres carrés SS est défini. Puis, pour chacune de la pluralité des électrodes de contact (11), des hauteurs (h21), (h22), (h23), etc. provenant du plan des moindres carrés (SS) sont obtenues, et sur la base des hauteurs (h21), (h22), (h23), etc., on évalue si oui ou non les hauteurs d’une pluralité des électrodes de contact (11) sont inférieures ou égales à une valeur de référence et si oui ou non l’aplatissement d’une pluralité des électrodes de contact (11) est inférieur ou égal à une valeur de référence.
(JA)  チップの主面(バンプ電極形成面)において、バンプ電極11の形成されていない領域において複数の測定点を設定し、それら複数の測定点における高さを求め、その高さの情報をもとに最小二乗法による回帰計算を実施し、最小二乗平面SSを設定する。次いで、複数のバンプ電極11のそれぞれについて、この最小二乗平面SSからの高さh21、h22、h23等を求め、この高さh21、h22、h23等をもとにして複数のバンプ電極11の高さが基準値以内か否かの判定、および複数のバンプ電極11の平坦度が基準値以内か否かの判定を行う。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)