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1. (WO2006035877) 半導体装置
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請求の範囲

[1] 半導体基板に形成された複数のトレンチ内にゲート絶縁膜およびゲート電極を有 する半導体装置であって、

前記トレンチの終端部のうちの少なくとも一部の幅力前記トレンチのうち前記終端 部を除く部分の幅よりも広い、半導体装置。

[2] 請求項 1に記載の半導体装置であって、

前記トレンチは、前記ゲート電極が配置するゲート電極部と、前記ゲート電極と外部 とを電気的に接続するゲート引き出し部とを備え、

前記終端部は、前記ゲート引き出し部における終端部である、半導体装置。

[3] 請求項 2に記載の半導体装置であって、

前記ゲート電極部において、前記トレンチはストライプの形状で配置している、半導 体装置。

[4] 請求項 3に記載の半導体装置であって、

前記トレンチのうち互いに隣接する 2つでは、前記終端部が、前記ストライプの延び る方向にお、て異なる位置に配置して、る、半導体装置。

[5] 請求項 4に記載の半導体装置であって、

前記トレンチのうちの 1つと、その両隣に位置する 2つのトレンチとでは、前記終端 部が前記ストライプの延びる方向において異なる位置に配置し、前記両隣に位置す る 2つのトレンチでは、前記終端部が、前記ストライプの延びる方向において同じ位 置に配置している、半導体装置。

[6] 請求項 1に記載の半導体装置であって、

前記半導体基板には、ドレイン領域と、前記ドレイン領域の上に位置するボディ領 域と、前記ボディ領域の上に位置するソース領域とが形成され、

前記トレンチは、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記ドレイン領 域のうちの途中の深さまで形成されている、半導体装置。

[7] 請求項 1に記載の半導体装置であって、

深さ方向に電流が流れる縦型ゲート絶縁型半導体装置である、半導体装置。

[8] 半導体基板に形成された複数のトレンチ内にゲート絶縁膜およびゲート電極を有 する半導体装置であって、

前記トレンチの終端部がハニカム形状である、半導体装置。

[9] 請求項 8に記載の半導体装置であって、

前記トレンチは、前記ゲート電極が配置するゲート電極部と、前記ゲート電極と外部 とを電気的に接続するゲート引き出し部とを備え、

前記終端部は、前記ゲート引き出し部における終端部である、半導体装置。

[10] 請求項 9に記載の半導体装置であって、

前記ゲート電極部において、前記トレンチはストライプの形状で配置している、半導 体装置。

[11] 請求項 10に記載の半導体装置であって、

前記終端部では、前記ストライプの延びる方向において、 2つ以上の六角形が配置 している、半導体装置。

[12] 請求項 8に記載の半導体装置であって、

前記半導体基板には、ドレイン領域と、前記ドレイン領域の上に位置するボディ領 域と、前記ボディ領域の上に位置するソース領域とが形成され、

前記トレンチは、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記ドレイン領 域のうちの途中の深さまで形成されている、半導体装置。