国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2006035864) SOIウエーハの洗浄方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/035864 国際出願番号: PCT/JP2005/017935
国際公開日: 06.04.2006 国際出願日: 29.09.2005
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
12
基板が半導体本体以外のもの,例.絶縁体本体
出願人:
信越半導体株式会社 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 〒1000005 東京都千代田区丸の内1丁目4番2号 Tokyo 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP (AllExceptUS)
宗像 秀樹 MUNAKATA, Hideki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
宗像 秀樹 MUNAKATA, Hideki; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; 〒1110041 東京都台東区元浅草2丁目6番4号上野三生ビル4F Tokyo Uenosansei Bldg. 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo1110041, JP
優先権情報:
2004-28816530.09.2004JP
発明の名称: (EN) SOI WAFER CLEANING METHOD
(FR) MÉTHODE DE NETTOYAGE D’UNE TRANCHE SOI
(JA) SOIウエーハの洗浄方法
要約:
(EN) A method is provided for cleaning an SOI wafer wherein a silicon thin film is formed on an insulator. In the cleaning method, double liquid cleaning is performed by cleaning the SOI wafer by mixing two or more types of fluids. Thus, reduction of a film thickness of an SOI layer of the SOI wafer and deterioration of a haze level of the SOI layer are suppressed as much as possible and impurities such as particles adhered on an SOI wafer surface can be sufficiently reduced.
(FR) La présente invention décrit une méthode de nettoyage d’une tranche SOI, au cours de laquelle une fine pellicule de silicium est déposée sur un matériau isolant. Dans ladite méthode, un nettoyage biliquide est accompli en nettoyant la tranche SOI à l'aide d’un mélange d’au moins deux types de fluides. Par le biais de ladite méthode, il est possible d’éviter dans une certaine mesure la réduction de l'épaisseur d’une couche épitaxiale de SOI sur la tranche de SOI, ainsi que la diminution de la réflectivité de la couche de SOI. De plus, les impuretés telles que les particules adhérant à la surface d’une tranche de SOI peuvent être suffisamment éliminées.
(JA) 本発明は、絶縁体上にシリコン薄膜を形成させたSOIウエーハの洗浄方法であって、SOIウエーハに2種類以上の流体を混合して洗浄する2流体洗浄を行うことを特徴とするSOIウエーハの洗浄方法である。これにより、SOIウエーハのSOI層の膜厚の減少を極力おさえ、SOI層のヘイズレベルを悪化を極力おさえ、SOIウエーハ表面に付着したパーティクルなどの不純物等を十分に低減できるSOIウエーハの洗浄方法が提供される。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP1801859JPWO2006035864US20080072926JP4661784