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1. (WO2006035794) 圧電磁器の製造方法、圧電素子の製造方法、圧電素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/035794 国際出願番号: PCT/JP2005/017796
国際公開日: 06.04.2006 国際出願日: 28.09.2005
IPC:
C04B 35/49 (2006.01) ,C04B 35/493 (2006.01) ,H01L 41/083 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H01L 41/22 (2013.01) ,H01L 41/273 (2013.01) ,H01L 41/39 (2013.01) ,H01L 41/43 (2013.01)
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01
酸化物を基とするもの
48
酸化ジルコニウムまたは酸化ハフニウムまたはジルコニウム酸塩またはハフニウム酸塩を基とするもの
49
酸化チタンまたはチタン酸塩を含むもの
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
01
酸化物を基とするもの
48
酸化ジルコニウムまたは酸化ハフニウムまたはジルコニウム酸塩またはハフニウム酸塩を基とするもの
49
酸化チタンまたはチタン酸塩を含むもの
491
ジルコニウム酸鉛およびチタン酸鉛を基とするもの
493
他の鉛化合物も含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08
圧電または電歪素子
083
積み重ねまたは多層構造をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16
材料の選択
18
圧電または電歪素子用
187
セラミック組成物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
27
多層圧電装置または電歪装置およびそれら部品の製造,例.圧電体と電極の積層による
273
圧電体または電歪体と電極を同時焼結による
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
35
圧電材料または電歪材料の形成
39
無機材料
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41
圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
22
圧電または電歪装置またはその部品の組み立て,製造または処理に特に適用される方法または装置
35
圧電材料または電歪材料の形成
39
無機材料
43
焼成による
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 〒1038272 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 Tokyo 13-1, Nihonbashi 1-chome, Chuo-ku Tokyo 1038272, JP (AllExceptUS)
七尾 勝 NANAO, Masaru [JP/JP]; JP (UsOnly)
塚田 岳夫 TSUKADA, Takeo [JP/JP]; JP (UsOnly)
坂本 英也 SAKAMOTO, Hideya [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
七尾 勝 NANAO, Masaru; JP
塚田 岳夫 TSUKADA, Takeo; JP
坂本 英也 SAKAMOTO, Hideya; JP
代理人:
大場 充 OBA, Mitsuru; 〒1010032 東京都千代田区岩本町1丁目4番3号 KMビル8階 大場国際特許事務所 Tokyo OBA & ASSOCIATES, 8F, KM Building 4-3, Iwamotocho 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010032, JP
優先権情報:
2004-28593330.09.2004JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC PORCELAIN, METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC ELEMENT AND PIEZOELECTRIC ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PORCELAINE PIÉZOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電磁器の製造方法、圧電素子の製造方法、圧電素子
要約:
(EN) A method for producing a piezoelectric porcelain containing a main component represented by the empirical formula: (Pba1Aa2)[(Zn1/3Nb2/3)xTiyZrz]O3, wherein A represents at least one metal element selected from among Sr, Ba and Ca, and with respect to atomic ratios, 0.96 ≤ a1 + a2 ≤ 1.03, 0 ≤ a2 ≤ 0.10, x + y + z = 1, 0.05 ≤ x ≤ 0.40, 0.1 ≤ y ≤ 0.5, 0.2 ≤ z ≤ 0.6, characterized in that as a powder to be subjected to firing, use is made of a powder having a specific surface area of 1.8 to 11.0 m2/g. The use of the above method improves sintering characteristics and can provide a piezoelectric porcelain having a high sintered density and desired piezoelectric characteristics, even when sintering is carried out at a temperature of 1050˚C or less, further at a temperature of 1000˚C or less in some cases.
(FR) L’invention concerne un procédé de fabrication de porcelaine piézoélectrique contenant un composant principal représenté par la formule empirique : (Pba1Aa2)[(Zn1/3Nb2/3)xTiyZrz]O3, où A représente au moins un élément métallique sélectionné parmi Sr, Ba et Ca, et par rapport aux rapports atomiques, 0,96 ≤ a1 + a2 ≤ 1,03, 0 ≤ a2 ≤ 0,10, x + y + z = 1, 0,05 ≤ x ≤ 0,40, 0,1 ≤ y ≤ 0,5, 0,2 ≤ z ≤ 0,6, caractérisé en ce qu’en tant que poudre à soumettre à une cuisson, on utilise une poudre d’une surface spécifique comprise entre 1,8 et 11,0 m2/g. L’utilisation du procédé ci-dessus améliore les caractéristiques de frittage et peut donner une porcelaine piézoélectrique ayant une forte densité de frittage et les caractéristiques piézoélectriques désirées, même si l’on effectue le frittage à une température inférieure ou égale à 1050°C, voire à une température inférieure ou égale à 1000°C dans certains cas.
(JA)  焼成に供される粉末として、比表面積が1.8~11.0m2/gであるものを用いるようにした。これにより、焼結性が改善され、1050°C以下、さらには1000°C以下で焼成しても焼結密度が高く所望の圧電特性を備えた圧電磁器を得ることができる。圧電磁器は組成式(Pba1a2)[(Zn1/3Nb2/3xTiyZrz]O3で表される主成分とすることができる。但し、組成式において、AはSr,BaおよびCaから選ばれる少なくとも1種の金属元素であり、原子比で0.96≦a1+a2≦1.03、0≦a2≦0.10、x+y+z=1、0.05≦x≦0.40、0.1≦y≦0.5、0.2≦z≦0.6である。                                                                     
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20080067897CN1993301