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1. (WO2006035779) CMP研磨剤及び基板の研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/035779 国際出願番号: PCT/JP2005/017764
国際公開日: 06.04.2006 国際出願日: 27.09.2005
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
日立化成工業株式会社 HITACHI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒1630449 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 Tokyo 1-1, Nishishinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449, JP (AllExceptUS)
深沢 正人 FUKASAWA, Masato; null (UsOnly)
小山 直之 KOYAMA, Naoyuki; null (UsOnly)
芳賀 浩二 HAGA, Kouji; null (UsOnly)
阿久津 利明 AKUTSU, Toshiaki; null (UsOnly)
発明者:
深沢 正人 FUKASAWA, Masato; null
小山 直之 KOYAMA, Naoyuki; null
芳賀 浩二 HAGA, Kouji; null
阿久津 利明 AKUTSU, Toshiaki; null
代理人:
三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門一丁目2番8号 虎ノ門琴平タワー Tokyo Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
2004-28150828.09.2004JP
発明の名称: (EN) CMP POLISHING COMPOUND AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE
(FR) COMPOSE DE POLISSAGE CMP ET PROCEDE DE POLISSAGE DE SUBSTRAT
(JA) CMP研磨剤及び基板の研磨方法
要約:
(EN) Disclosed is a CMP polishing compound containing cerium oxide particles, water, and a polymer obtained by polymerizing at least one of a methacrylic acid and a salt thereof and/or a polymer obtained by polymerizing at least one of a methacrylic acid and a salt thereof with a monomer having an unsaturated double bond. Preferably, the CMP polishing compound further contains a dispersing agent or a polymer obtained by polymerizing a monomer containing at least one of an acrylic acid and a salt thereof. Consequently, the CMP polishing compound enables to obtain a polished film which is small in film thickness variations due to the pattern density difference. Also disclosed is a polishing method.
(FR) L’invention concerne un composé de polissage CMP contenant des particules d’oxyde de cérium, de l’eau et un polymère obtenu par polymérisation d‘au moins un élément parmi un acide méthacrylique et un sel de celui-ci et/ou un polymère obtenu par polymérisation d’au moins un élément parmi un acide méthacrylique et un sel de celui-ci avec un monomère ayant une double liaison insaturée. De préférence, le composé de polissage CMP contient en outre un agent dispersif ou un polymère obtenu par polymérisation d’un monomère contenant au moins un élément parmi un acide acrylique et un sel de celui-ci. En conséquence, le composé de polissage CMP permet d’obtenir un film poli aux faibles variantes d’épaisseur de film du fait de la différence de densité de motifs. L’invention concerne également un procédé de polissage.
(JA)  本発明のCMP研磨剤は、酸化セリウム粒子、水、並びに、メタクリル酸及びその塩の少なくとも一方が重合してなる重合体、及び/又は、メタクリル酸及びその塩の少なくとも一方と不飽和二重結合を有する単量体とが重合してなる重合体を含有し、さらに分散剤、もしくは、アクリル酸及びその塩の少なくとも一方を含む単量体が重合してなる重合体を含むのが好ましい。これらにより、研磨後の被研磨膜の、パターン密度差による残膜厚差が小さいCMP研磨剤及び研磨方法を提供できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020070044049KR1020080067715JPWO2006035779JP2010199595US20080254717JP4755984
CN101032001