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1. (WO2006035628) プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/035628 国際出願番号: PCT/JP2005/017251
国際公開日: 06.04.2006 国際出願日: 20.09.2005
IPC:
H05H 1/24 (2006.01) ,C23C 16/50 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
積水化学工業株式会社 SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5308565 大阪府大阪市北区西天満2丁目4番4号 Osaka 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565, JP (AllExceptUS)
武内 稔公 TAKEUCHI, Toshimasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
中嶋 節男 NAKAJIMA, Setsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
斎藤 直道 SAITO, Naomichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
西川 理 NISHIKAWA, Osamu [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
武内 稔公 TAKEUCHI, Toshimasa; JP
中嶋 節男 NAKAJIMA, Setsuo; JP
斎藤 直道 SAITO, Naomichi; JP
西川 理 NISHIKAWA, Osamu; JP
代理人:
渡辺 昇 WATANABE, Noboru; 〒1020074 東京都千代田区九段南3丁目7番7号、九段南グリーンビル3階 Tokyo Kudanminami Green Bldg. 3F. 7-7, Kudanminami 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1020074, JP
優先権情報:
2004-28550629.09.2004JP
2004-28550729.09.2004JP
2004-28550829.09.2004JP
2005-21239722.07.2005JP
2005-24054223.08.2005JP
2005-24054323.08.2005JP
2005-24934530.08.2005JP
2005-26323712.09.2005JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING SYSTEM
(FR) SYSTEME DE TRAITEMENT A PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約:
(EN) A plasma processing system in which occurrence of arcing due to difference of thermal expansion between an electrode and a solid state dielectric body is prevented. The bottom part of a housing (20) of processing units (10L, 10R) is opened and then closed with a solid state dielectric plate (50), and an electrode (30) is contained in the housing (20) freely in the longitudinal direction. The solid state dielectric plate (50) has a strength sufficient for supporting the self-weight of the electrode (30) by itself. The electrode (30) is mounted on the upper surface of the solid state dielectric plate (50) without being secured thereto and its self-weight is born substantially entirely by the solid state dielectric plate (50).
(FR) L’invention concerne un système de traitement à plasma permettant d’éviter la formation d’arcs due à la différence de dilatation thermique entre une électrode et un corps diélectrique à solide. La partie de fond d’un boîtier (20) de modules de traitement (10L, 10R) est ouverte puis fermée par une plaque diélectrique à solide (50), et une électrode (30) est reçue dans le boîtier (20) de façon à pouvoir se déplacer librement dans la direction longitudinale. La plaque diélectrique à solide (50) est suffisamment robuste pour supporter d’elle-même le poids propre de l’électrode (30). L’électrode (30) est montée à la surface supérieure de la plaque diélectrique à solide (50) sans y être attachée et son poids propre est quasi totalement supporté par la plaque diélectrique à solide (50).
(JA)  プラズマ処理装置において、電極と固体誘電体の熱膨張差でアーキングが発生するのを防止する。  処理ユニット10L,10Rの筐体20の底部を開放し、これを固体誘電体の板50で塞ぎ、筐体20内に電極30を長手方向にフリーにして収容する。固体誘電体板50は、単独で電極30の自重を支持可能な強度を有している。電極30は、固体誘電体板50の上面に非固定状態で載置され、自重のほぼ全てを固体誘電体板50に掛けている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020070053360EP1796442US20080115892CN101023714