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1. (WO2006035591) 銅配線の形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2006/035591 国際出願番号: PCT/JP2005/016712
国際公開日: 06.04.2006 国際出願日: 12.09.2005
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,C23C 16/18 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C07C 49/92 (2006.01) ,C07F 1/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
285
気体または蒸気からの析出,例.凝結
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06
金属質材料の析出に特徴のあるもの
18
金属有機質化合物からのもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
49
ケトン;ケテン;二量化ケテン;ケトン性キレート
92
ケトン性キレート
C 化学;冶金
07
有機化学
F
炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物
1
周期律表の第1族の元素を含有する化合物
08
銅化合物
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 〒2538543 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500 Kanagawa 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP (AllExceptUS)
渡部 幹雄 WATANABE, Mikio [JP/JP]; JP (UsOnly)
座間 秀昭 ZAMA, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
渡部 幹雄 WATANABE, Mikio; JP
座間 秀昭 ZAMA, Hideaki; JP
代理人:
特許業務法人エクシオ Exeo Patent & Trademark Company; 〒1500021 東京都渋谷区恵比寿西2-6-2 大進ビル6階 Tokyo 6th Fl., Daishin Bldg. 2-6-2 Ebisunishi Shibuya-ku Tokyo 1500021, JP
優先権情報:
2004-27936527.09.2004JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING COPPER WIRING
(FR) PROCEDE DE FORMAGE DE FILS DE CUIVRE
(JA) 銅配線の形成方法
要約:
(EN) For the purpose of forming a copper wiring having excellent filling properties and adhesion to a foundation layer by a CVD process, a foundation layer composed of a V-containing or Ti-containing film is formed on a substrate surface, which is provided with a hole or the like, by a CVD process using a tetravalent amide-type vanadium organic metal gas as the raw material and tertiarybutylhydrazine or the like as the reducing gas, and a copper-containing film is formed thereon, thereby filling the hole or the like and forming a wiring. This forming method can be applied to the field of copper wiring in the semiconductor industry.
(FR) L’invention concerne un procédé de formage d’un fil de cuivre présentant d’excellentes propriétés de remplissage et une excellente adhérence à une couche de base à l’aide d’un processus de dépôt chimique en phase vapeur. Le procédé consiste à former une couche de base composée d’un film contenant du vanadium V ou du titane Ti sur une surface de substrat, dotée d’un trou ou d’une caractéristique similaire, à l’aide d’un processus de dépôt chimique en phase vapeur utilisant un gaz métallique organique au vanadium de type amide tétravalent en tant que matière première et de la tert-butylhydrazine ou une substance similaire en tant que gaz réducteur, et à former sur celle-ci un film contenant du cuivre de façon à remplir les trous ou autres et à former un fil. Ce procédé de formage peut trouver une application dans le domaine des fils de cuivre de l’industrie des semiconducteurs.
(JA) CVD法により、埋め込み性、下地層との密着性に優れた銅配を形成するために、ホール等が形成された基板表面上に、原料として4価のアミド素バナジウム有機金属ガスまた、 還元性ガスとしてターシャリーブチルヒドラジン等を用いて、CVD法によりV又はTi含有膜からなる下地層を形成し、この上に、銅含有膜を形成し、ホール等を埋め込み、配線を形成する。半導体産業における銅配線の分野に適用可能。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020070056126KR1020080100394JP2006093552US20100291290CN101032007