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1. (WO2006033465) 半導体装置及びその製造方法、並びに処理液
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/033465    国際出願番号:    PCT/JP2005/018049
国際公開日: 30.03.2006 国際出願日: 22.09.2005
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), C23C 18/16 (2006.01), C23C 18/50 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
出願人: EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho Ohta-ku, Tokyo 1448510 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAGI, Daisuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WANG, Xinming [CN/JP]; (JP) (米国のみ).
OWATARI, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUNAGA, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TASHIRO, Akihiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAGI, Daisuke; (JP).
WANG, Xinming; (JP).
OWATARI, Akira; (JP).
FUKUNAGA, Akira; (JP).
TASHIRO, Akihiko; (JP)
代理人: WATANABE, Isamu; GOWA Nishi-Shinjuku 4F, 5-8 Nishi-Shinjuku 7-chome, Shinjuku-ku Tokyo 10600023 (JP)
優先権情報:
2004-276109 22.09.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND TREATMENT LIQUID
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF, ET LIQUIDE DE TRAITEMENT
(JA) 半導体装置及びその製造方法、並びに処理液
要約: front page image
(EN)A semiconductor device is provided with a wiring wherein an alloy film having a required minimum thickness and diffusion preventing effects to, for instance, oxygen and copper, is formed more uniformly in thickness entirely over a board and protected, while reducing dependence on a wiring pattern. In the semiconductor device, at least at one portion on the circumference of the embedded wiring formed by embedding a wiring material in a wiring recessed part formed in an insulator on the board, the alloy film containing a tungsten or molybdenum of 1-9 atomic % and a phosphorous or boron of 3-12 atomic % is formed by electroless plating.
(FR)L’invention porte sur un dispositif semi-conducteur avec un câblage où l'on forme un film allié d’une épaisseur minimale requise et ayant des effets de prévention de diffusion vers, par exemple, l’oxygène et le cuivre, de manière plus uniforme au niveau de l’épaisseur intégralement sur une carte et protégé, tout en réduisant la dépendance à un motif de câblage. Dans le dispositif semi-conducteur, au moins en une portion de la circonférence du câblage noyé formé par incrustation d’un matériau de câblage dans une partie rétreinte de câblage constituée dans un isolant sur la carte, le film allié contenant du tungstène ou du molybdène à hauteur de 1 à 9 % atomique et du phosphore ou du bore à hauteur de 3 à 12 % atomique est formé par placage autocatalytique.
(JA)半導体装置は、例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成して保護した配線を有する。半導体装置は、基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを1~9atomic%、リンまたはボロンを3~12atomic%含有する合金膜を無電解めっきで形成して構成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)