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1. (WO2006033137) 電子放出素子の製造方法、表示装置の製造方法、および電子放出素子のクリーニング機能を備えた表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/033137    国際出願番号:    PCT/JP2004/013761
国際公開日: 30.03.2006 国際出願日: 21.09.2004
IPC:
H01J 9/02 (2006.01), H01J 9/44 (2006.01), H01J 9/50 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOKUE, Hiroshi [JP/JP]; (米国のみ).
SUDO, Takashi [JP/JP]; (米国のみ).
TAKAHASHI, Hideharu [JP/JP]; (米国のみ)
発明者: TOKUE, Hiroshi; .
SUDO, Takashi; .
TAKAHASHI, Hideharu;
代理人: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE 1-12-9, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) ELECTRON EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD, DISPLAYER MANUFACTURING METHOD AND DISPLAYER PROVIDED WITH ELECTRON EMITTING ELEMENT CLEANING FUNCTION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT ÉMETTEUR D’ÉLECTRONS, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SYSTÈME D’AFFICHAGE ET SYSTÈME D’AFFICHAGE POURVU D’UNE FONCTION DE NETTOYAGE D’ÉLÉMENT ÉMETTEUR D’ÉLECT
(JA) 電子放出素子の製造方法、表示装置の製造方法、および電子放出素子のクリーニング機能を備えた表示装置
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing an electron emitting element comprises a process (S1) of forming a pair of element electrodes on a rear plate, a process (S2) of forming a conductive film so as to connect the element electrodes and a forming process (S3) wherein an electron emitting part is formed on the conductive film by carrying electricity to the element electrodes. After making carbon adhere on the electron emitting part by an activating process (S4), a baking process (S5) is performed. Then, an impurity removing process (S6) is performed wherein voltages of a normal operation and of reverse polarity are applied on the element electrodes in a high vacuum atmosphere and impurities attracted to the electron emitting part are removed. By performing the impurity removing process (S6), the impurities adhered on the electron emitting part can be surely removed without requiring exclusive processing equipment.
(FR)L’invention porte sur un procédé de fabrication d’élément émetteur d’électrons comprenant un processus (S1) de formation d’une paire d’électrodes d’élément sur une plaque arrière, un processus (S2) de formation d’un film conducteur de façon à connecter les électrodes d’élément et un processus de formation (S3) où une pièce émettrice d’électrons est formée sur le film conducteur en transportant de l’électricité aux électrodes d’élément. Une fois que l'on a fait adhérer du carbone à la pièce émettrice d’électrons grâce à un processus d’activation (S4), on réalise un processus de cuisson (S5). Il s’ensuit alors un processus d’élimination des impuretés (S6) pendant lequel des tensions d’exploitation normale et de polarité inverse sont appliquées aux électrodes d’élément dans une atmosphère de vide élevé et les impuretés attirées sur la pièce émettrice d’électrons sont éliminées. Le processus d’élimination des impuretés (S6) permet d’éliminer parfaitement les impuretés restées collées sur la pièce émettrice d’électrons sans exiger d’équipement de traitement dédié. DRAWING : FIG. 6 : S1 FORMATION DES ELECTRODES S2 FORMATION DU FILM CONDUCTEUR S3 PROCESSUS DE FORMATION S4 PROCESSUS D’ACTIVATION S5 PROCESSUS DE CUISSON S6 PROCESSUS D’ELIMINATION DES IMPURETES
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)