WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

World Intellectual Property Organization
1. (WO2006030884) 薄膜製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/030884    国際出願番号:    PCT/JP2005/017111
国際公開日: 23.03.2006 国際出願日: 16.09.2005
C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C30B 23/08 (2006.01), C30B 29/16 (2006.01), H01L 21/363 (2006.01)
出願人: THE DOSHISHA [JP/JP]; 601, Genbu-cho, Karasuma-Higashi-iru, Imadegawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6028580 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YANAGITANI, Takahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WATANABE, Yoshiaki; (JP).
YANAGITANI, Takahiko; (JP)
代理人: KOBAYASI, Ryohei; KOBAYASI PATENT & TRADEMARK, 7th Floor Hougen-Sizyokarasuma Building 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku Kyoto-si Kyoto 6008091 (JP)
2004-269087 16.09.2004 JP
(JA) 薄膜製造方法
要約: front page image
(EN)A method of producing a ZnO thin film where a c-axis is oriented within a plane over a large area. A magnetron sputtering device is used to sputter a ZnO target (28) as the material of the thin film to form a flow of the material (a material flow) from a cathode (23) toward an anode (24) in plasma. This material flow has a high density at the center with its density gradually lowering toward the outside from the center. A substrate (20) is fixed at a position away from the center axis of a material-flow-forming area (30) so as to be tilted from the center axis. Accordingly, a temperature gradient is naturally formed on the substrate (20), and the c-axis of the ZnO thin film deposited on the substrate (20) is oriented in a temperature gradient direction within the plane. The substrate (20) fixed tilted from the material flow can give a larger area in which the c-axis is coherently oriented within the plane than before.
(FR)Cette invention concerne un procédé de production d'une couche mince d'oxyde de zinc (ZnO) selon lequel un axe c est orienté dans un plan couvrant une zone étendue. Un dispositif de pulvérisation magnétron est utilisé pour pulvériser une cible de ZnO (28), servant de matériau de la couche mince, pour former un flux de matériau d'une cathode (23) vers une anode (24) dans un plasma. Ce flux de matériau a une densité élevée au centre, sa densité diminuant progressivement vers l'extérieur. Un substrat (20) est fixé à distance de l'axe central d'une zone de formation de flux de matériau (30) de manière à être incliné par rapport à l'axe central. Un gradient de température est ainsi naturellement formé sur le substrat (20), et l'axe c de la couche mince de ZnO déposée sur le substrat (20) est orienté dans la direction du gradient de température dans le plan. Le substrat (20) fixé en position inclinée par rapport au flux de matériau peut former une zone plus étendue qu'auparavant, dans laquelle l'axe c est orienté de façon cohérente dans le plan.
(JA) 本発明は、広い面積に亘ってc軸が面内に配向したZnO薄膜を製造する方法を提供することを目的として成された。マグネトロンスパッタリング装置を用いて、薄膜の原料であるZnOターゲット28をスパッタし、プラズマ中に陰極23から陽極24に向かう原料の流れ(原料流)を形成する。この原料流は中心部において密度が高く、中心部から外れるに従って密度が低いものとなる。基板20は、原料流の形成される領域30の中心軸から外れた位置に、該中心軸に対して傾斜して固定される。これにより、基板20に自然に温度勾配が形成され、基板20上に堆積するZnO薄膜のc軸は面内で温度勾配の方向に配向する。また、基板20が原料流に対して傾斜して固定されることにより、従来よりもc軸が面内に斉合配向する面積が大きくなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)