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1. (WO2006030845) III族窒化物半導体光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/030845    国際出願番号:    PCT/JP2005/017007
国際公開日: 23.03.2006 国際出願日: 15.09.2005
IPC:
H01S 5/323 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUDA, Kazuhisa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SASAOKA, Chiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KIMURA, Akitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKUDA, Kazuhisa; (JP).
SASAOKA, Chiaki; (JP).
KIMURA, Akitaka; (JP)
代理人: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2004-270397 16.09.2004 JP
発明の名称: (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
(FR) DISPOSITIF OPTIQUE SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE DE GROUPE III
(JA) III族窒化物半導体光素子
要約: front page image
(EN)A semiconductor laser excelling in current injection efficiency. There is provided an inner stripe type semiconductor laser comprising p-type cladding layer (309) having a superlattice structure composed of, alternately superimposed on each other, GaN layers and Al0.1Ga0.9N layers. The p-type cladding layer (309) has portion of high dislocation density and portion of low dislocation density. That is, the dislocation density is relatively high in a region right above current constriction layer (308), while the dislocation density is relatively low in a region right above opening of the current constriction layer (308).
(FR)Cette invention a trait à un laser semi-conducteur présentant une excellente efficacité d'injection de courant. L'invention porte sur un laser semi-conducteur à ruban interne, comprenant une couche de gaine de type p (309) pourvue d'une structure en super-réseau composée de couches de GaN et de couches de Al0.1Ga0.9N, superposées en alternance l'une sur l'autre. La couche de gaine de type p (309) présente une partie à forte densité de dislocation et une partie à faible densité de dislocation. En effet, la densité de dislocation est relativement élevée dans une région située juste au-dessus de la couche de constriction de courant (308), tandis que la densité de dislocation est relativement basse dans une région située juste au-dessus de l'ouverture de la couche de constriction du courant (308).
(JA) 本発明は、電流注入効率に優れる半導体レーザを提供する。本発明にかかるインナー・ストライプ型半導体レーザにおいて、p型クラッド層309は、GaN層およびAl0.1Ga0.9N層が交互に積層された超格子構造を有する。p型クラッド層309は、転位密度の高い部分と低い部分とを有する。すなわち、電流狭窄層308の直上領域においては、転位密度が相対的に高く、電流狭窄層308の開口部直上領域においては、転位密度が相対的に低くなっている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)