WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2006030814) 抵抗変化素子及びそれを用いた不揮発性メモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/030814    国際出願番号:    PCT/JP2005/016913
国際公開日: 23.03.2006 国際出願日: 14.09.2005
IPC:
H01L 27/10 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KANNO, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ODAGAWA, Akihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGITA, Yasunari [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAI, Akihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ADACHI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KANNO, Tsutomu; (JP).
ODAGAWA, Akihiro; (JP).
SUGITA, Yasunari; (JP).
SAKAI, Akihiro; (JP).
ADACHI, Hideaki; (JP)
代理人: SAEGUSA, Eiji; Kitahama TNK Building 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku Osaka-shi Osaka 541-0045 (JP)
優先権情報:
2004-266381 14.09.2004 JP
発明の名称: (EN) RESISTANCE VARIABLE ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY
(FR) ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE VARIABLE ET MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 抵抗変化素子及びそれを用いた不揮発性メモリ
要約: front page image
(EN)A resistance variable element in which deterioration in resistance variability is suppressed even when it is heat treated in a reducing atmosphere, and a nonvolatile memory comprising such a resistance variable element. A resistance variable element (1) comprises a material layer of an oxide semiconductor having a perovskite structure represented by the chemical formula: RMCoO3 (where, R represents a rare earth element and M represents an alkaline earth element), and first and second electrodes electrically connected with the material layer. A nonvolatile memory (2) comprises the resistance variable element and a transistor electrically connected to the resistance variable element.
(FR)L’invention concerne un élément de résistance variable dans lequel la baisse de variabilité de la résistance est supprimée même en cas de traitement thermique dans une atmosphère de réduction, et une mémoire non volatile comprenant un tel élément de résistance variable. Un élément de résistance variable (1) comprend une couche de matériau composée d’un semi-conducteur d’oxyde de structure perovskite représentée par la formule chimique : RMCoO3 (où R représente un élément de terre rare et M représente un élément de terre alcaline), ainsi qu’une première électrode et une seconde électrode électriquement connectées à la couche de matériau. Une mémoire non volatile (2) comprend l’élément de résistance variable et un transistor électriquement connecté à l’élément de résistance variable.
(JA) 本発明は、還元雰囲気下における熱処理を施した場合でも、抵抗変化の能力の低下が抑制されている抵抗変化素子及びそれを用いた不揮発性メモリを提供する。  本発明は、具体的には、(1)化学式:RMCoO(但し、Rは希土類元素を示し、Mはアルカリ土類元素を示す)で示されるペロブスカイト構造を有する酸化物半導体からなる材料層と、前記材料層に対して電気的に接続された2つの電極である第1電極及び第2電極とから構成され、第1電極と第2電極との間に電流又は電圧を印加することによって材料層の抵抗が変化する抵抗変化素子並びに(2)前記抵抗変化素子とトランジスタとを有し、前記抵抗変化素子とトランジスタとは電気的に接続されている不揮発性メモリ、を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)