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1. (WO2006030778) 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/030778    国際出願番号:    PCT/JP2005/016833
国際公開日: 23.03.2006 国際出願日: 13.09.2005
IPC:
H01S 5/22 (2006.01)
出願人: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WANG, You [CN/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAJIMA, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WATANABE, Akiyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAN, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WANG, You; (JP).
MIYAJIMA, Hirofumi; (JP).
WATANABE, Akiyoshi; (JP).
KAN, Hirofumi; (JP)
代理人: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2004-267422 14.09.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT ARRAY
(FR) ÉLÉMENT LASER SEMI-CONDUCTEUR ET MATRICE D’ÉLÉMENTS LASER SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
要約: front page image
(EN)A semiconductor laser element (3) is provided with an n-type clad layer (13), an active layer (15), and a p-type clad layer (17). The p-type clad layer (17) is provided with a ridge part (9) which forms a waveguide (4) on the active layer (15). The waveguide (4) extends along a center axis line (B) which curves at a substantially constant curvature (curvature radius (R)). In such waveguide (4), among light which resonates in the waveguide (4), light having a higher order spatial transverse mode has a larger loss. Therefore, while maintaining laser oscillation in a low order transverse mode, laser oscillation in a high order transverse mode can be suppressed. Thus, the semiconductor laser element and a semiconductor laser element array which can project a laser beam having a relatively high intensity and suppress the high order transverse mode are provided.
(FR)Selon l’invention, un élément laser semi-conducteur (3) est pourvu d’une couche de placage de type n (13), d’une couche active (15) et d’une couche de placage de type p (17). La couche de placage de type p (17) est munie d’une partie crête (9) constituant un guide d’onde (4) sur la couche active (15). Le guide d’onde (4) s’étend le long d’une ligne d’axe central (B) décrivant une courbe à un angle sensiblement constant (rayon de courbure (R)). Dans un tel guide d’onde (4), parmi la lumière résonant dans le guide d’onde (4), la lumière d’un mode transversal spatial de rang plus élevé présente une perte plus conséquente. C’est la raison pour laquelle, tout en maintenant l’oscillation laser en mode transversal de rang peu élevé, l’oscillation laser dans un mode transversal de rang élevé peut être supprimée. De cette manière, on obtient un élément laser semi-conducteur et une matrice d’éléments laser semi-conducteurs susceptibles de projeter un faisceau laser d’une intensité relativement élevée et de supprimer le mode transversal de rang élevé.
(JA) 半導体レーザ素子3は、n型クラッド層13と、活性層15と、p型クラッド層17とを備える。p型クラッド層17は、活性層15に導波路4を形成するリッジ部9を有する。導波路4は、略一定の曲率(曲率半径R)で湾曲している中心軸線Bに沿って延びている。このような導波路4においては、導波路4内で共振する光のうち空間横モードの次数が高い光ほど損失が大きくなる。従って、横低次モードのレーザ発振を維持しつつ、横高次モードのレーザ発振を抑制することができる。これにより、比較的大きな強度のレーザ光を出射可能であって、横高次モードを抑制できる半導体レーザ素子、及び半導体レーザ素子アレイが実現される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)