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1. (WO2006030746) 半導体発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/030746    国際出願番号:    PCT/JP2005/016774
国際公開日: 23.03.2006 国際出願日: 12.09.2005
IPC:
H01S 5/042 (2006.01)
出願人: THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IKEDA, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKANO, Yoshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
CHEN, Nong [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IKEDA, Kenji; (JP).
NAKANO, Yoshiaki; (JP).
CHEN, Nong; (JP)
代理人: NARUSE, Shigeo; NARUSE, INABA & INAMI, Hanabishi Imas Hirakawacho Building 4th Floor 3-11, Hirakawacho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1020093 (JP)
優先権情報:
2004-265235 13.09.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
要約: front page image
(EN)The drive current of a semiconductor light-emitting element is controlled by the depletion region produced in the semiconductor light-emitting element. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A semiconductor light-emitting element has at least a substrate crystal (1), an active layer (3), and a junction part (A). The junction part (A) is disposed near the active layer (3) at a distance within, e.g., 3μm. In the junction part (A), a depletion region (B) for limiting the flow of the carriers to the active layer (3) is produced. The junction part (A) is composed of the junction between a gate region (16) of a second conductivity type and a control region (14) of a first conductivity type. When a third electrode (18) is connected to the gate region (16), the magnitude of the drive current can be controlled by the voltage applied to the third electrode.
(FR)L’invention concerne un courant d’attaque d’un élément électroluminescent à semi-conducteur contrôlé par la région d’appauvrissement produite dans l’élément électroluminescent à semi-conducteur. Un élément électroluminescent à semi-conducteur possède au moins un cristal de substrat (1), une couche active (3) et une partie de jonction (A). La partie de jonction (A) est disposée à proximité de la couche active (3) à une distance ne dépassant pas, par exemple, 3 µm. Dans la partie de jonction (A), une région d’appauvrissement (B) pour limiter le flux des porteuses vers la couche active (3) est produite. La partie de jonction (A) est composée de la jonction entre une région de porte (16) d’un second type de conductivité et une région de contrôle (14) d’un premier type de conductivité. Lorsqu’une troisième électrode (18) est connectée à la région de porte (16), la grandeur du courant d’attaque peut être contrôlée par la tension appliquée à la troisième électrode.
(JA) 本発明は、半導体発光素子に発生する空乏領域により、この素子における駆動電流を制御するものである。 【解決手段】 本発明の半導体発光素子は、少なくとも、基板結晶1と活性層3と接合部Aとを有する。接合部Aは、活性層3の近傍、例えば3μm以内に配置されている。接合部Aは、活性層3へのキャリアの流れを制限する空乏領域Bを生成する構成となっている。接合部Aは、第2導電型のゲート領域16と第1導電型の制御領域14との接合により構成される。ゲート領域16に第三の電極18を接続すると、第三の電極に印加される電圧により、駆動電流の大きさを制御することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)