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1. (WO2006030734) 半導体発光装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/030734    国際出願番号:    PCT/JP2005/016752
国際公開日: 23.03.2006 国際出願日: 12.09.2005
IPC:
C09K 11/00 (2006.01), C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/78 (2006.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
出願人: ROHM CO., LTD [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHAKUDA, Yukio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NISHIDA, Toshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SONOBE, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHAKUDA, Yukio; (JP).
NISHIDA, Toshio; (JP).
SONOBE, Masayuki; (JP)
代理人: KAWAMURA, Kiyoshi; KAWAMURA & CO. Shinei Bldg. 6E 5-1, Nishinakajima 4-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 532-0011 (JP)
優先権情報:
2004-265464 13.09.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D’ÉMISSION DE LUMIÈRE
(JA) 半導体発光装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor light emitting device can be driven with AC power without causing any flickering in illumination and extinguished substantially smoothly by simply turning off a switch. The semiconductor light emitting device itself is provided with an anti-flickering means and flickering can be prevented without requiring any special processing on the illuminator side even when the semiconductor light emitting device is integrated with the illuminator. A multilayer semiconductor part (17) is formed by laying semiconductor layers on a substrate (11) to form a light emitting layer and divided electrically into a plurality of parts, and then each part is provided with a pair of electrodes (19, 20) thus forming a plurality of light emitting parts (1). The plurality of light emitting parts (1) are connected in series parallel through a wiring film (3), and a layer (6) containing a fluorescent material having an afterglow time of 10 milliseconds to 1 second and/or a layer containing light storage glass are provided on the lighting surface side of the plurality of light emitting parts (1).
(FR)Dispositif semi-conducteur d’émission de lumière pouvant être alimenté par du courant alternatif sans que la lumière clignote et éteint relativement en douceur simplement en actionnant un interrupteur. Le dispositif semi-conducteur d’émission de lumière est pourvu d’un moyen anti-clignotement et le clignotement peut être évité sans requérir de traitement spécial sur le côté source lumineuse, même si le dispositif semi-conducteur d’émission de lumière est intégré dans la source lumineuse. Une partie multicouche de semi-conducteur (17) est formée en déposant des couches de semi-conducteur sur un substrat (11) de façon à constituer une couche émettant de la lumière et est électriquement séparée en une pluralité de parties. Chaque partie est ensuite équipée d’une paire d’électrodes (19, 20), formant ainsi une pluralité de parties émettant de la lumière (1). La pluralité de parties émettant de la lumière (1) est connectée en série et/ou parallèle par un film de câblage (3), et une couche (6) contenant un matériau fluorescent ayant une rémanence de 10 ms à 1 s et/ou une couche contenant un verre de stockage de lumière équipent le côté surface d’illumination de la pluralité de parties d’émission de lumière (1).
(JA) 交流駆動をしても照明のチラツキがなく、しかもスイッチをオフにすれば殆ど違和感なく消光することができると共に、半導体発光装置自体にチラツキ防止手段が施され、半導体発光装置をどのような状態で照明装置などに組み込んでも照明装置側に特別な処理を施すことなくチラツキを防止することができる半導体発光装置を提供する。  基板11上に発光層を形成するように半導体層を積層して半導体積層部17が形成され、その半導体積層部17が複数個に電気的に分離されると共に、それぞれに一対の電極19、20が設けられることにより、複数個の発光部1が形成されている。この複数個の発光部1は、配線膜3を介して、それぞれ直並列に接続されると共に、複数の発光部1の光発射面側に残光時間が10ミリ秒から1秒以内の蛍光材料を含有する蛍光体層6、および/または蓄光ガラスを含む層を設けられている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)