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1. (WO2006030699) SOIウェーハの製造方法及びSOIウェーハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/030699    国際出願番号:    PCT/JP2005/016582
国際公開日: 23.03.2006 国際出願日: 09.09.2005
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-0005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AGA, Hiroji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOBAYASHI, Norihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IMAI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ENOMOTO, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKENO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AGA, Hiroji; (JP).
KOBAYASHI, Norihiro; (JP).
IMAI, Masayuki; (JP).
ENOMOTO, Tatsuo; (JP).
TAKENO, Hiroshi; (JP)
代理人: SUGAWARA, Masatsune; SUGAWARA & ASSOCIATES Sakae Yamakichi Bldg. 9-30, Sakae 2-chome Naka-ku, Nagoya-shi Aichi 460-0008 (JP)
優先権情報:
2004-265901 13.09.2004 JP
2004-268901 15.09.2004 JP
発明の名称: (EN) SOI WAFER MANUFACTURING METHOD AND SOI WAFER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE PLAQUETTE DE SOI ET PLAQUETTE DE SOI
(JA) SOIウェーハの製造方法及びSOIウェーハ
要約: front page image
(EN)An SOI waver manufacturing method is provided with a bonding process of bonding a base wafer (7) with a bond wafer (1) by having a silicon oxide film in between; a thickness reducing process of reducing the thickness of the bond wafer (1) to form an SOI layer; and a bonding heat treatment process of increasing bonding of the SOI layer (15) to the base wafer (7) by having the silicon oxide film (2) in between. When the thickness of the silicon oxide film (2) after bonding is (t1), the thickness of the SOI layer after bonding is (t2), the refraction index (n1) of SiO2 forming the silicon oxide film (2) in the infrared wavelength region is 1.5, the refraction index (n2) of Si forming the SOI layer (15) is 3.5, an optical thickness tOP of the silicon oxide film (2) and the SOI layer (15) in the infrared wavelength region is n1×t1+n2×t2, an inequality of 0.1&lgr;<tOP<2&lgr; is satisfied, and (t1×n1)/(t2×n2) is set within a range of 0.2 to 3. By nuclear killer heat treatment performed prior to the bonding heat treatment, density of oxygen precipitate formed in the base wafer after the bonding heat treatment is adjusted to be less than 1×109/cm3. Thus, the method for manufacturing an SOI wafer which has the relatively thin silicon oxide film and the SOI layer and does not easily warp during heat treatment in device process is provided.
(FR)L’invention porte sur un procédé de fabrication de plaquette de SOI avec un processus de liaison consistant à lier une plaquette de base (7) avec une plaquette de liaison (1) en disposant un film d’oxyde de silicium entre celles-ci ; un processus de réduction d’épaisseur visant à réduire l’épaisseur de la plaquette de liaison (1) pour constituer une couche de SOI ; et un processus de traitement thermique de liaison visant à augmenter la liaison de la couche de SOI (15) avec la plaquette de base (7) en disposant le film d’oxyde de silicium (2) entre celles-ci. Si l’épaisseur du film d’oxyde de silicium (2) après liaison est (t1), l’épaisseur de la couche de SOI après liaison est (t2), l’indice de réfraction (n1) de SiO2 constituant le film d’oxyde de silicium (2) dans la région de longueur d’onde infrarouge est de 1,5, l’indice de réfraction (n2) de Si constituant la couche de SOI (15) est de 3,5, une épaisseur optique tOP du film d’oxyde de silicium (2) et de la couche de SOI (15) dans la région de longueur d’onde infrarouge est de n1×t1+n2×t2, une inégalité de 0,1&lgr;<tOP<2&lgr; est satisfaite et (t1×n1)/(t2×n2) est défini dans une fourchette de 0,2 à 3. Un traitement thermique nucléaire destructeur effectué avant le traitement thermique de liaison permet d’ajuster la densité de précipitat d’oxygène formé dans la plaquette de base après traitement thermique de liaison sur une valeur inférieure à 1×109/cm3. On obtient ainsi le procédé de fabrication d’une plaquette de SOI ayant le film d’oxyde de silicium relativement mince et la couche de SOI, qui ne gauchit pas facilement pendant le traitement thermique.
(JA)ベースウェーハ7とボンドウェーハ1とを、シリコン酸化膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、ボンドウェーハ1の厚みを減じてSOI層となす減厚工程と、シリコン酸化膜2を介したSOI層15のベースウェーハ7に対する結合を増加するための結合熱処理工程と有する。貼り合わせ後のシリコン酸化膜2の厚さt1とSOI層の厚さt2とが、シリコン酸化膜2をなすSiOの赤外波長域の屈折率をn1=1.5、SOI層15をなすSiの屈折率n2を3.5とし、それらシリコン酸化膜2とSOI層15との赤外波長域における光学的厚さtOPをtOP=n1×t1+n2×t2として、0.1λ<tOP<2λを充足し、かつ、(t1×n1)/(t2×n2)が0.2以上3以下の範囲内に設定される。そして、結合熱処理に先立って行われる核キラー熱処理により、結合熱処理後のベースウェーハ中の酸素析出物の形成密度を1×10/cm未満に調整する。これにより、比較的薄いシリコン酸化膜とSOI層とを有し、デバイス工程で実施される熱処理時に反りを発生しにくいSOIウェーハの製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)